Pkg 5847
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SIE832DF-T1-GE3

Digi-Key 零件编号
SIE832DF-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR）
SIE832DF-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT）
SIE832DF-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIE832DF-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
详细描述
表面贴装型 N 通道 40 V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK®（S）
客户内部零件编号
规格书  规格书
产品属性
类型
描述
选择
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3800 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
10-PolarPAK®（S）
封装/外壳
10-PolarPAK®（S）
基本产品编号
SIE832
文档与媒体
资源类型链接
规格书SIE832DF
视频文件
MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 产品变更/停产Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
HTML 规格书SIE832DF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
其他资源
属性描述
其他名称
SIE832DF-T1-GE3TR
SIE832DF-T1-GE3DKR
SIE832DFT1GE3
SIE832DF-T1-GE3CT
标准包装3,000