10-PolarPAK®(S) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 毫欧 @ 18.3A,10V3.5 毫欧 @ 18A,4.5V5.5 毫欧 @ 14A,10V7.2 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35 nC @ 10 V77 nC @ 10 V78 nC @ 10 V143 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1600 pF @ 15 V3800 pF @ 20 V4200 pF @ 10 V4300 pF @ 10 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5847
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
730
现货
1 : ¥20.03000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
50A(Tc)
2.5V,4.5V
3.5 毫欧 @ 18A,4.5V
2V @ 250µA
143 nC @ 10 V
±12V
4300 pF @ 10 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
Pkg 5847
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥10.47622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
50A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 18.3A,10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
Pkg 5847
SIE800DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
Pkg 5847
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
50A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 18.3A,10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
Pkg 5847
SIE832DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 14A,10V
3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 20 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
Pkg 5847
SIE832DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 14A,10V
3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 20 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
Pkg 5847
SIE800DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
5.2W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
10-PolarPAK®(S)
10-PolarPAK®(S)
显示
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10-PolarPAK®(S) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。