SI7478DP-T1-GE3 已经过时且不再制造。
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SIR401DP-T1-GE3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SI7478DP-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SI7478DP-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
SI7478DP-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 15A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
160 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.9W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
基本产品编号
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