Name: SIR184LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR184LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 17.2 CNY
Availability: InStock

SIR184LDP-T1-RE3
DigiKey 零件编号	742-SIR184LDP-T1-RE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SIR184LDP-T1-RE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SIR184LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIR184LDP-T1-RE3
描述	N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
原厂标准交货期	29 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 21.5A（Ta），73A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21.5A（Ta），73A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1950 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），56.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8

数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
3,000	¥4.79907	¥14,397.21
6,000	¥4.57198	¥27,431.88

SIR184LDP-T1-RE3