Name: TP65H480G4JSG-TR
Brand: Transphorm
SKU: 1707-TP65H480G4JSG-TR-ND
Price: 24.38 CNY
Availability: InStock

TP65H480G4JSG-TR
DigiKey 零件编号	1707-TP65H480G4JSG-TR-ND - 卷带（TR） 1707-TP65H480G4JSG-CT-ND - 剪切带（CT） 1707-TP65H480G4JSG-DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Transphorm
制造商产品编号	TP65H480G4JSG-TR
描述	GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 3.6A（Tc） 13.2W（Tc） 3-PQFN（5x6）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TP65H480G4JSG-TR 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Transphorm
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	560 毫欧 @ 3.4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	760 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	13.2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-PQFN（5x6）
封装/外壳	3-PowerTDFN
基本产品编号	TP65H480