GaNFET(共源共栅氮化镓 FET) 单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTransphorm
系列
-SuperGaN™TP65H070L
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
漏源电压(Vdss)
600 V650 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A(Tc)9A(Tc)15A(Tc)20A(Tc)25A(Tc)27A(Tc)34A(Tc)34.5A(Tc)36A(Tc)46.5A(Tc)47.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 30A,10V41 毫欧 @ 32A,10V60 毫欧 @ 22A,10V60 毫欧 @ 25A,10V63 毫欧 @ 22A,10V72 毫欧 @ 17A,8V85 毫欧 @ 16A,10V130 毫欧 @ 13A,8V205 毫欧 @ 10A,10V350 毫欧 @ 5.5A,8V560 毫欧 @ 3.4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 300µA2.6V @ 400uA2.6V @ 500µA2.8V @ 500µA4.4V @ 700µA4.5V @ 1mA4.8V @ 1mA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9 nC @ 8 V9.3 nC @ 10 V9.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 8 V14 nC @ 8 V15 nC @ 10 V17.5 nC @ 10 V22 nC @ 0 V22 nC @ 10 V24 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600 pF @ 400 V760 pF @ 400 V780 pF @ 600 V980 pF @ 600 V1000 pF @ 400 V1130 pF @ 400 V1500 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
13.2W(Tc)65W(Tc)78W(Tc)96W(Tc)104W(Tc)119W(Tc)143W(Tc)150W(Tc)156W(Tc)187W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(5x6)3-PQFN(8x8)TO-220TO-220ABTO-247-3
封装/外壳
3-PowerDFN3-PowerTDFNTO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
871
现货
1 : ¥147.28000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
46.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 0 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Transphorm
2,800
现货
1 : ¥24.38000
剪切带(CT)
4,000 : ¥11.87252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
3.6A(Tc)
8V
560 毫欧 @ 3.4A,8V
2.8V @ 500µA
9 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
13.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(5x6)
3-PowerTDFN
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
302
现货
1 : ¥115.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
46.5A(Tc)
12V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
Discrete Semiconductor-FET
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Transphorm
315
现货
1 : ¥145.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
34A(Tc)
12V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Nexperia USA Inc.
263
现货
1 : ¥148.01000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSAQ
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Nexperia USA Inc.
570
现货
1 : ¥167.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
34.5A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Transphorm
540
现货
1 : ¥174.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H050G4WS
TP65H050WSQA
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Transphorm
43
现货
1 : ¥155.81000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
36A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP90H050WS
TP90H050WS
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Transphorm
5
现货
1 : ¥141.94000
管件
-
管件
停产
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
900 V
34A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 22A,10V
4.4V @ 700µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 600 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
NTP8G202NG
GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
600 V
9A(Tc)
8V
350 毫欧 @ 5.5A,8V
2.6V @ 500µA
9.3 nC @ 4.5 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO220
TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Transphorm
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
20A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 13A,8V
2.6V @ 300µA
14 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO220
TPH3212PS
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Transphorm
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
27A(Tc)
10V
72 毫欧 @ 17A,8V
2.6V @ 400uA
14 nC @ 8 V
±18V
1130 pF @ 400 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO220
TP90H180PS
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Transphorm
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
900 V
15A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 10A,10V
2.6V @ 500µA
10 nC @ 8 V
±18V
780 pF @ 600 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PQFN_8x8
TP65H070LDG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Transphorm
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
25A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
PQFN_8x8
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Transphorm
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
25A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
显示
/ 15

GaNFET(共源共栅氮化镓 FET) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。