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市场产品
IXFN110N85X | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | IXFN110N85X-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IXFN110N85X | |
描述 | MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B | |
原厂标准交货期 | 32 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 底座安装 N 通道 850 V 110A（Tc） 1170W（Tc） SOT-227B | |
规格书 | 规格书 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 850 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 55A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 425 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 17000 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 1170W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
供应商器件封装 | SOT-227B | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥597.56000 | ¥597.56 |
| 10 | ¥541.53000 | ¥5,415.30 |
| 100 | ¥485.50740 | ¥48,550.74 |
制造商标准包装
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