110A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 162
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIHEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, TrenchHiPerFET™, TrenchT2™HiPerFET™, Ultra XLinear L2™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V65 V68 V70 V75 V80 V85 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V4.5V,7V6V,10V10V15V,18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 80A,10V1.4 毫欧 @ 55A,10V1.5 毫欧 @ 55A,10V1.5 毫欧 @ 80A,10V1.75 毫欧 @ 55A,10V1.8 毫欧 @ 55A,10V1.8 毫欧 @ 80A,10V2.2 毫欧 @ 55A,10V2.3 毫欧 @ 30A,10V2.3 毫欧 @ 55A,10V2.4 毫欧 @ 55A,10V2.4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.4V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.7V @ 100µA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 4.5 V34.3 nC @ 10 V35 nC @ 10 V44 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V48 nC @ 10 V50 nC @ 10 V50 nC @ 4.5 V50.9 nC @ 10 V57 nC @ 10 V60 nC @ 10 V60 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V+18V,-5V±18V20V±20V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1860 pF @ 15 V1952 pF @ 25 V2100 pF @ 20 V2210 pF @ 25 V2280 pF @ 25 V2298 pF @ 20 V2300 pF @ 20 V2303 pF @ 20 V2430 pF @ 15 V2980 pF @ 10 V2980 pF @ 25 V3060 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta),213W(Tc)1.6W(Ta)1.8W(Ta),220W(Tc)1.8W(Ta),250W(Tc)1.8W(Ta),288W(Tc)1.8W(Ta),348W(Tc)3.1W(Ta),120W(Tc)3.7W(Ta),68W(Tc)3.75W(Ta),120W(Tc)3.75W(Ta),150W(Tc)3.75W(Ta),208.3W(Tc)3.75W(Ta),250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN(4.9x5.75)8-QFN(5x6)D2PAKDFN5060DPAKH2PAK-2H2PAK-6H2PAK-7H2Pak-2IPAKISOPLUS220™
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线ISOPLUS220™ISOTOPPLUS-220SMDPowerPAK® 1212-8SLWSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
162结果
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/ 162
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
22,329
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 62A,10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP064NPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Infineon Technologies
2,333
现货
1 : ¥22.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 59A,10V
4V @ 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
68,366
现货
1 : ¥30.13000
剪切带(CT)
800 : ¥18.18145
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
6.9 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Vishay Siliconix
4,253
现货
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
800 : ¥18.62855
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
9.5 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
6700 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
3,183
现货
1 : ¥35.14000
剪切带(CT)
800 : ¥21.22609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),272W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,797
现货
1 : ¥36.70000
剪切带(CT)
800 : ¥22.15478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
110A(Tc)
4.5V,10V
11.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
48,824
现货
1 : ¥37.60000
剪切带(CT)
800 : ¥22.68540
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
11300 pF @ 25 V
-
15W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
16,834
现货
1 : ¥37.60000
剪切带(CT)
800 : ¥22.68540
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Tc)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
11200 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D²PAK
STB120NF10T4
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
STMicroelectronics
25,226
现货
1 : ¥37.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥19.49819
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
10.5 毫欧 @ 60A,10V
4V @ 250µA
233 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 25 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IXTT110N10L2-TRL
IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Littelfuse Inc.
390
现货
1 : ¥169.77000
剪切带(CT)
400 : ¥125.33518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268(IXTT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-264
IXTK110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Littelfuse Inc.
790
现货
1 : ¥306.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
110A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 3mA
500 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-220AB PKG
IRFB7540PBF
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Infineon Technologies
353
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
6V,10V
5.1 毫欧 @ 65A,10V
3.7V @ 100µA
130 nC @ 10 V
±20V
4555 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3205STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Infineon Technologies
1,474
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
800 : ¥7.94583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 62A,10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SQM110N05-06L_GE3
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Vishay Siliconix
1,515
现货
1 : ¥24.22000
剪切带(CT)
800 : ¥13.54409
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4440 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
1,600
现货
1 : ¥25.53000
剪切带(CT)
800 : ¥15.41018
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
7450 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP120NF10
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
STMicroelectronics
18,208
现货
1 : ¥26.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
10.5 毫欧 @ 60A,10V
4V @ 250µA
233 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 25 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247 Plus X
IXTX110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
550
现货
1 : ¥303.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
110A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 3mA
500 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-220-3
STP110N10F7
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
STMicroelectronics
944
现货
1 : ¥22.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 55A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 50 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP150N10F7
MOSFET N-CH 100V 110A TO220
STMicroelectronics
484
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 250µA
117 nC @ 10 V
±20V
8115 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263
FDB9503L-F085
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
onsemi
663
现货
1 : ¥41.79000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 80A,10V
3V @ 250µA
255 nC @ 10 V
±16V
8320 pF @ 20 V
-
333W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,357
现货
1 : ¥49.50000
剪切带(CT)
800 : ¥29.88900
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 55A,10V
2.5V @ 1mA
250 nC @ 10 V
±20V
16800 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),213W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
TO-263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
DMPH4015SPSQ-13
DMNH4006SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
830
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.75348
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
50.9 nC @ 10 V
20V
2280 pF @ 25 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y8R8-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Nexperia USA Inc.
2,838
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
1,500 : ¥8.12561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 1mA
123 nC @ 10 V
±10V
6695 pF @ 25 V
-
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-220-3
STP150N10F7AG
N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE
STMicroelectronics
319
现货
1 : ¥31.77000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 250µA
127 nC @ 10 V
±20V
9000 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
4,415
现货
1 : ¥32.76000
剪切带(CT)
800 : ¥19.79335
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Tc)
10V
1.75 毫欧 @ 55A,10V
4V @ 250µA
189 nC @ 10 V
±20V
10800 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta),250W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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110A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。