Name: IRF3205STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3205STRLPBFTR-ND
Price: 21.25 CNY
Availability: InStock

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IRF3205STRLPBF
DigiKey 零件编号	IRF3205STRLPBFTR-ND - 卷带（TR） IRF3205STRLPBFCT-ND - 剪切带（CT） IRF3205STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IRF3205STRLPBF
描述	MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
原厂标准交货期	35 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 55 V 110A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IRF3205STRLPBF 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 146 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3247 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 200W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 55 V	供应商器件封装 D2PAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IRF3205
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8 毫欧 @ 62A，10V

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替代品 (12)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPB081N06L3GATMA1	Infineon Technologies	5,302	IPB081N06L3GATMA1CT-ND	¥17.78000	类似
BUK7610-55AL,118	Nexperia USA Inc.	4,599	1727-BUK7610-55AL,118CT-ND	¥34.82000	类似
BUK9608-55B,118	Nexperia USA Inc.	321	1727-4711-1-ND	¥26.30000	类似
HUF75345S3ST	onsemi	1,881	HUF75345S3STCT-ND	¥67.65000	类似
IXTA90N075T2	IXYS	221	IXTA90N075T2-ND	¥39.03000	类似