Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 20.76 CNY
Availability: InStock

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IPB081N06L3GATMA1
DigiKey 零件编号	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB081N06L3GATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB081N06L3GATMA1
描述	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB081N06L3GATMA1 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 34µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 29 nC @ 4.5 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4900 pF @ 30 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 79W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 IPB081
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.1 毫欧 @ 50A，10V

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