SOT-227-4,miniBLOC 单 FET,MOSFET

结果 : 386
制造商
GeneSiC SemiconductorIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationSemiQSMC Diode SolutionsVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-CoolMOS™G3R™GigaMOS™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, F ClassHiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarP2™HiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Q2 Class
包装
托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
40 V55 V60 V70 V75 V85 V100 V150 V170 V200 V250 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)7.5A(Tc)15A(Tc)17A(Tc)18A(Tc)19A(Tc)20A(Tc)21A(Tc)22A(Tc)22A(Tj)23A(Tc)24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V10V,15V12V15V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.85 毫欧 @ 100A,10V1.05 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V2.15 毫欧 @ 200A,10V2.3 毫欧 @ 60A,10V2.5 毫欧 @ 175A,10V2.5 毫欧 @ 200A,10V2.6 毫欧 @ 180A,10V2.7 毫欧 @ 100A,10V2.75 毫欧 @ 200A,10V3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA(典型值)2.3V @ 2mA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.4V @ 4mA2.5V @ 1mA2.69V @ 15mA2.7V @ 15mA2.7V @ 1mA2.8V @ 10mA2.8V @ 1mA2.8V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 20 V58 nC @ 20 V64 nC @ 20 V95 nC @ 10 V96 nC @ 10 V100 nC @ 10 V100 nC @ 20 V107 nC @ 15 V110 nC @ 10 V115 nC @ 10 V115 nC @ 20 V121 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±15V+20V,-10V+20V,-5V±20V+23V,-10V+25V,-10V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
838 pF @ 1000 V1324 pF @ 1000 V1336 pF @ 1000 V1374 pF @ 1000 V1895 pF @ 1000 V1900 pF @ 1000 V1990 pF @ 1000 V2560 pF @ 1000 V2790 pF @ 1000 V2980 pF @ 1000 V3020 pF @ 1000 V3110 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
142W(Tc)143W(Tc)165W(Tc)176W(Tc)208W(Tc)242W(Tc)245W(Tc)273W(Tc)278W(Tc)290W(Tc)300W(Tc)355W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
供应商器件封装
ISOTOP®SOT-227SOT-227BSOT-227(ISOTOP®)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
386结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 386
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
272
现货
1 : ¥191.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
435A(Tc)
10V
2.15 毫欧 @ 200A,10V
3.8V @ 750µA
375 nC @ 10 V
±20V
17300 pF @ 25 V
-
652W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN180N15P
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Littelfuse Inc.
1,627
现货
1 : ¥230.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
150A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 90A,10V
5V @ 4mA
240 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
680W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Littelfuse Inc.
305
现货
1 : ¥343.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
90A(Tc)
10V
56 毫欧 @ 55A,10V
5V @ 8mA
245 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
1500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN170N30P
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Littelfuse Inc.
220
现货
1 : ¥384.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
138A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 85A,10V
4.5V @ 1mA
258 nC @ 10 V
±20V
20000 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN200N10L2
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Littelfuse Inc.
1,235
现货
1 : ¥413.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
178A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 100A,10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN60N50L2
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Littelfuse Inc.
603
现货
1 : ¥413.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
53A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 30A,10V
4.5V @ 250µA
610 nC @ 10 V
±30V
24000 pF @ 25 V
-
735W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN150N65X2
MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Littelfuse Inc.
778
现货
1 : ¥419.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
145A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 75A,10V
5V @ 8mA
355 nC @ 10 V
±30V
21000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
APT2X60D60J
MSC025SMA120J
SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227
Microchip Technology
39
现货
1 : ¥469.41000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
77A(Tc)
20V
31 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 1mA
232 nC @ 20 V
+25V,-10V
3020 pF @ 1000 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXKN75N60C
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
IXYS
491
现货
1 : ¥552.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
36 毫欧 @ 50A,10V
3.9V @ 5mA
500 nC @ 10 V
±20V
-
-
560W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
SOT-227-4, miniBLOC
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
Microchip Technology
101
现货
1 : ¥554.13000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
42A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 33A,10V
5V @ 5mA
570 nC @ 10 V
±30V
18500 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
GA100JT12-227
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
GeneSiC Semiconductor
158
现货
1 : ¥1,112.04000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
100A(Tc)
15V
26 毫欧 @ 75A,15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
523W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN140N20P
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Littelfuse Inc.
282
现货
1 : ¥230.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
115A(Tc)
10V,15V
18 毫欧 @ 70A,10V
5V @ 4mA
240 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
680W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
SemiQ
107
现货
1 : ¥231.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
121 nC @ 20 V
+25V,-10V
3185 pF @ 1000 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN64N50P
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Littelfuse Inc.
170
现货
1 : ¥241.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
61A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 32A,10V
5.5V @ 8mA
150 nC @ 10 V
±30V
8700 pF @ 25 V
-
700W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Littelfuse Inc.
218
现货
360
工厂
1 : ¥293.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
170A(Tc)
10V
7.4 毫欧 @ 85A,10V
4.5V @ 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Littelfuse Inc.
324
现货
1 : ¥309.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
240 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Littelfuse Inc.
275
现货
1 : ¥343.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
112A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 66A,10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18600 pF @ 25 V
-
1500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN66N85X
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Littelfuse Inc.
133
现货
1 : ¥362.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
65A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 33A,10V
5.5V @ 8mA
230 nC @ 10 V
±30V
8900 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Littelfuse Inc.
143
现货
1 : ¥380.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
400A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 200A,10V
4.5V @ 8mA
365 nC @ 10 V
±20V
23700 pF @ 25 V
-
695W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXFN100N50P
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Littelfuse Inc.
376
现货
1 : ¥385.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
90A(Tc)
10V
49 毫欧 @ 50A,10V
5V @ 8mA
240 nC @ 10 V
±30V
20000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Littelfuse Inc.
597
现货
1 : ¥413.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
90A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 3mA
640 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
735W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXTN110N20L2
MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
Littelfuse Inc.
311
现货
1 : ¥413.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
100A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 3mA
500 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
735W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
GA100JT12-227
G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
GeneSiC Semiconductor
223
现货
1 : ¥461.37000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
105A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
+20V,-10V
5873 pF @ 800 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
SOT-227-4, miniBLOC
APT53F80J
MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Microchip Technology
149
现货
1 : ¥573.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
57A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 43A,10V
5V @ 5mA
570 nC @ 10 V
±30V
17550 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
SOT-227-4, miniBLOC
APT77N60JC3
MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP
Microchip Technology
193
现货
1 : ¥315.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 60A,10V
3.9V @ 5.4mA
640 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
显示
/ 386

SOT-227-4,miniBLOC 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。