Name: IPDD60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R080G7XTMA1TR-ND
Price: 56.89 CNY
Availability: InStock

IPDD60R080G7XTMA1
DigiKey 零件编号	IPDD60R080G7XTMA1TR-ND - 卷带（TR） IPDD60R080G7XTMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPDD60R080G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPDD60R080G7XTMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 29A（Tc） 174W（Tc） PG-HDSOP-10-1
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPDD60R080G7XTMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™ G7
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	80 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 490µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1640 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	174W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HDSOP-10-1
封装/外壳	10-PowerSOP 模块
基本产品编号	IPDD60

IPDD60R080G7XTMA1