29A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BUK9M34-100EX MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	5,731 现货	1 : ¥7.88000 剪切带（CT） 1,500 : ¥3.45915 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	29A（Tc）	5V	34 毫欧 @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	24.7 nC @ 5 V	±10V	2844 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK33	SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
IRFZ34NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Infineon Technologies	2,433 现货	1 : ¥12.48000 剪切带（CT） 800 : ¥6.71966 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	29A（Tc）	10V	40 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SI4459ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Vishay Siliconix	100,069 现货	1 : ¥12.64000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.69246 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	29A（Tc）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	195 nC @ 10 V	±20V	6000 pF @ 15 V	-	3.5W（Ta），7.8W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IPL60R065C7AUMA1 MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies	5,100 现货	1 : ¥64.94000 剪切带（CT） 3,000 : ¥34.50249 卷带（TR）	CoolMOS™ C7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 15.9A，10V	4V @ 800µA	68 nC @ 10 V	±20V	2850 pF @ 400 V	-	180W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-VSON-4-1	4-PowerTSFN
STB34NM60ND MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK STMicroelectronics	1,000 现货	1 : ¥89.65000 剪切带（CT） 1,000 : ¥50.87193 卷带（TR）	FDmesh™ II	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	110 毫欧 @ 14.5A，10V	5V @ 250µA	80.4 nC @ 10 V	±25V	2785 pF @ 50 V	-	190W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PSMN030-60YS,115 MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	4,745 现货	1 : ¥5.58000 剪切带（CT） 1,500 : ¥2.36501 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	29A（Tc）	10V	24.7 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 1mA	13 nC @ 10 V	±20V	686 pF @ 30 V	-	56W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
IPD350N06LGBTMA1 MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 Infineon Technologies	4,444 现货	1 : ¥7.22000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.98902 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	29A（Tc）	4.5V，10V	35 毫欧 @ 29A，10V	2V @ 28µA	13 nC @ 5 V	±20V	800 pF @ 30 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB Infineon Technologies	4,278 现货	1 : ¥7.55000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	29A（Tc）	10V	40 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
SIHB30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Vishay Siliconix	1,096 现货	1 : ¥47.86000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	125 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	2600 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TP65H070G4PS GANFET N-CH 650V 29A TO220 Transphorm	1,008 现货	1 : ¥71.01000 管件	SuperGaN®	管件	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	29A（Tc）	10V	85 毫欧 @ 18A，10V	4.7V @ 700µA	9 nC @ 10 V	±20V	638 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
GAN080-650EBEZ 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE ( Nexperia USA Inc.	1,995 现货	1 : ¥72.32000 剪切带（CT） 2,500 : ¥27.48033 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	29A（Tc）	6V	80 毫欧 @ 8A，6V	2.5V @ 30.7mA	6.2 nC @ 6 V	+7V，-6V	225 pF @ 400 V	-	240W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装，可润湿侧翼	DFN8080-8	8-VDFN 裸露焊盘
TP65H070G4LSG-TR GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Transphorm	2,686 现货	1 : ¥78.97000 剪切带（CT） 3,000 : ¥41.95469 卷带（TR）	SuperGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	29A（Tc）	10V	85 毫欧 @ 16A，10V	4.8V @ 700µA	8.4 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-PQFN（8x8）	3-PowerTDFN
STP34NM60N MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 STMicroelectronics	292 现货	1 : ¥79.22000 管件	MDmesh™ II	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	105 毫欧 @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±25V	2722 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
STW34NM60N MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 STMicroelectronics	644 现货	1 : ¥83.65000 管件	MDmesh™ II	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	105 毫欧 @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±25V	2722 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
SQ4184EY-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC Vishay Siliconix	4,635 现货	1 : ¥12.97000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.37824 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	29A（Tc）	4.5V，10V	4.6 毫欧 @ 14A，10V	2.5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 20 V	-	7.1W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SIHG105N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC Vishay Siliconix	447 现货	1 : ¥34.15000 管件	EF	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	102 毫欧 @ 13A，10V	5V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±30V	1804 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SIHG30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC Vishay Siliconix	476 现货	1 : ¥50.57000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	125 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	2600 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 Infineon Technologies	2,900 现货	1 : ¥56.89000 剪切带（CT） 1,700 : ¥32.28191 卷带（TR）	CoolMOS™ G7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 9.7A，10V	4V @ 490µA	42 nC @ 10 V	±20V	1640 pF @ 400 V	-	174W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-HDSOP-10-1	10-PowerSOP 模块
STW34NM60ND MOSFET N-CH 600V 29A TO247 STMicroelectronics	600 现货	1 : ¥96.71000 管件	FDmesh™ II	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	110 毫欧 @ 14.5A，10V	5V @ 250µA	80.4 nC @ 10 V	±25V	2785 pF @ 50 V	-	190W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
AOB29S50L MOSFET N-CH 500V 29A TO263 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	540 现货	1 : ¥36.37000 剪切带（CT） 800 : ¥21.98228 卷带（TR）	aMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	29A（Tc）	10V	150 毫欧 @ 14.5A，10V	3.9V @ 250µA	26.6 nC @ 10 V	±30V	1312 pF @ 100 V	-	357W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PJMP130N65EC_T0_00001 650V SUPER JUNCTION MOSFET Panjit International Inc.	2,000 现货	1 : ¥37.93000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	29A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 10.8A，10V	4V @ 250µA	51 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 400 V	-	235W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB-L	TO-220-3
SIHB30N60ET1-GE3 N-CHANNEL 600V Vishay Siliconix	1,182 现货	1 : ¥47.86000 剪切带（CT） 800 : ¥28.92050 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	125 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	2600 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SIHB30N60ET5-GE3 N-CHANNEL 600V Vishay Siliconix	800 现货	1 : ¥47.86000 剪切带（CT） 800 : ¥22.37048 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	125 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	2600 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PJMF130N65EC_T0_00001 650V SUPER JUNCTION MOSFET Panjit International Inc.	1,976 现货	1 : ¥54.51000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	29A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 10.8A，10V	4V @ 250µA	51 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 400 V	-	33W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	ITO-220AB-F	TO-220-3 全封装，隔离接片
IPT60R080G7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF Infineon Technologies	5,653 现货	1 : ¥55.91000 剪切带（CT） 2,000 : ¥29.72490 卷带（TR）	CoolMOS™ G7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	29A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 9.7A，10V	4V @ 490µA	42 nC @ 10 V	±20V	1640 pF @ 400 V	-	167W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN