10-PowerSOP 模块 单 FET,MOSFET

结果 : 16
系列
CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ G7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Tc)16A(Tc)19A(Tc)20A(Tc)21A(Tj)23A(Tc)24A(Tc)27A(Tc)29A(Tc)31A(Tc)33A(Tc)40A(Tc)47A(Tc)52A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
37mOhm @ 27A, 10V45 毫欧 @ 18A,10V50 毫欧 @ 15.9A,10V55 毫欧 @ 15.1A,10V75 毫欧 @ 11.4A,10V80 毫欧 @ 9.7A,10V90 毫欧 @ 9.3A,10V102 毫欧 @ 7.8A,10V105 毫欧 @ 7.8A,10V125 毫欧 @ 6.4A,10V125 毫欧 @ 6.8A,10V145 毫欧 @ 6A,10V150 毫欧 @ 5.3A,10V170 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 210µA4V @ 260µA4V @ 320µA4V @ 390µA4V @ 490µA4V @ 800µA4.5V @ 240µA4.5V @ 300µA4.5V @ 340µA4.5V @ 390µA4.5V @ 470µA4.5V @ 570µA4.5V @ 760µA4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V23 nC @ 10 V27 nC @ 10 V28 nC @ 10 V31 nC @ 10 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V42 nC @ 10 V51 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V79 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
718 pF @ 400 V743 pF @ 400 V902 pF @ 400 V1016 pF @ 400 V1080 pF @ 400 V1199 pF @ 400 V1320 pF @ 400 V1329 pF @ 400 V1504 pF @ 400 V1640 pF @ 400 V1747 pF @ 400 V2102 pF @ 400 V2670 pF @ 400 V2724 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
76W(Tc)95W(Tc)120W(Tc)137W(Tc)139W(Tc)160W(Tc)169W(Tc)174W(Tc)176W(Tc)198W(Tc)227W(Tc)266W(Tc)278W(Tc)329W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Infineon Technologies
2,900
现货
1 : ¥56.89000
剪切带(CT)
1,700 : ¥32.28398
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
29A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 9.7A,10V
4V @ 490µA
42 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 400 V
-
174W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Infineon Technologies
167
现货
1 : ¥23.40000
剪切带(CT)
1,700 : ¥12.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 4.2A,10V
4V @ 210µA
18 nC @ 10 V
±20V
718 pF @ 400 V
-
76W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R145CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Infineon Technologies
3,400
现货
1 : ¥29.15000
剪切带(CT)
1,700 : ¥15.08270
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
24A(Tc)
-
145 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,698
现货
1 : ¥32.92000
剪切带(CT)
1,700 : ¥17.02409
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
27A(Tc)
-
125 毫欧 @ 6.8A,10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1329 pF @ 400 V
-
176W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R075CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,700
现货
1 : ¥54.76000
剪切带(CT)
1,700 : ¥28.33074
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
-
75 毫欧 @ 11.4A,10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2102 pF @ 400 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,700
现货
1 : ¥67.49000
剪切带(CT)
1,700 : ¥38.26724
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
61A(Tc)
-
45 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3194 pF @ 400 V
-
379W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Infineon Technologies
3,235
现货
1 : ¥87.02000
剪切带(CT)
1,700 : ¥49.37076
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 400 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,387
现货
1 : ¥37.68000
剪切带(CT)
1,700 : ¥19.49488
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 6.4A,10V
4V @ 320µA
27 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
120W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,615
现货
1 : ¥48.44000
剪切带(CT)
1,700 : ¥25.05108
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Tc)
10V
102 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 390µA
34 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 400 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
1,700
现货
1 : ¥70.47000
剪切带(CT)
1,700 : ¥39.97566
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
72A(Tj)
10V
37mOhm @ 27A, 10V
4.7V @ 680µA
79 nC @ 10 V
±20V
3458 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R170CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Infineon Technologies
37
现货
1 : ¥25.12000
剪切带(CT)
1,700 : ¥12.98676
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
19A(Tc)
-
170 毫欧 @ 4.9A,10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1016 pF @ 400 V
-
137W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Infineon Technologies
5
现货
1 : ¥31.12000
剪切带(CT)
1,700 : ¥16.08464
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 400 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥37.85000
剪切带(CT)
1,700 : ¥19.57558
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
31A(Tc)
-
105 毫欧 @ 7.8A,10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1504 pF @ 400 V
-
198W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥44.91000
剪切带(CT)
1,700 : ¥23.23008
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
-
90 毫欧 @ 9.3A,10V
4.5V @ 470µA
42 nC @ 10 V
±20V
1747 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
10-PowerSOP Module
IPDD60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥56.98000
剪切带(CT)
1,700 : ¥32.29630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
-
55 毫欧 @ 15.1A,10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2724 pF @ 400 V
-
329W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥24.06000
剪切带(CT)
1,700 : ¥12.45772
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tj)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4.7V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
743 pF @ 400 V
-
169W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
显示
/ 16

10-PowerSOP 模块 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。