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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R050M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R050M2HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R050M2HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET |
原厂标准交货期 | 61 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 38A（Tc） 153W（Tc） PG-TO247-3-40 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.6V @ 3.7mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 22 nC @ 18 V |
系列 | Vgs（最大值） +23V，-7V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 790 pF @ 400 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 153W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO247-3-40 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，20V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 46 毫欧 @ 18.2A，20V |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥85.51000 | ¥85.51 |
| 30 | ¥49.79900 | ¥1,493.97 |
| 120 | ¥41.95025 | ¥5,034.03 |
| 510 | ¥36.19973 | ¥18,461.86 |
| 1,020 | ¥34.10271 | ¥34,784.76 |
| 2,010 | ¥32.37535 | ¥65,074.45 |
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