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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R026M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R026M2HXKSA1 |
描述 | IMW65R026M2HXKSA1 |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 64A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3-40 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R026M2HXKSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 34.5A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 7mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +23V，-7V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1499 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 227W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-3-40 | |
封装/外壳 |
现货: 143
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数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥98.41000 | ¥98.41 |
| 30 | ¥59.23400 | ¥1,777.02 |
| 120 | ¥50.65042 | ¥6,078.05 |
| 510 | ¥49.70673 | ¥25,350.43 |
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