Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 139.85 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 11mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 62 nC @ 18 V
系列 CoolSIC™ M1	Vgs（最大值） +23V，-5V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2131 pF @ 400 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 189W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 SiCFET（碳化硅）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-TO247-3-41
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 47A（Tc）	封装/外壳 TO-247-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	基本产品编号 IMW65R027
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 34 毫欧 @ 38.3A，18V

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