设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R057M1HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 35A（Tc） 133W（Tc） PG-TO247-3-41 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R057M1HXKSA1 型号 |
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 5mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28 nC @ 18 V |
系列 | Vgs（最大值） +20V，-2V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 930 pF @ 400 V |
零件状态 不适用于新设计 | 功率耗散（最大值） 133W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO247-3-41 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 74 毫欧 @ 16.7A，18V |
报告产品信息错误
文档与媒体
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 3
检查是否有其他入库库存
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥87.66000 | ¥87.66 |
| 30 | ¥51.13333 | ¥1,534.00 |
| 120 | ¥43.11425 | ¥5,173.71 |
| 510 | ¥37.23947 | ¥18,992.13 |
| 1,020 | ¥35.09722 | ¥35,799.16 |
| 2,010 | ¥33.33257 | ¥66,998.47 |
您可能还对以下元器件感兴趣
1 种货品
