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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMZA65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMZA65R020M2HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMZA65R020M2HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET |
原厂标准交货期 | 61 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 83A（Tc） 273W（Tc） PG-TO247-4-8 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.6V @ 9.5mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 57 nC @ 18 V |
系列 | Vgs（最大值） +23V，-7V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2038 pF @ 400 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 273W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO247-4-8 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，20V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 18 毫欧 @ 46.9A，20V |
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|---|---|---|
| 1 | ¥128.35000 | ¥128.35 |
| 30 | ¥78.42167 | ¥2,352.65 |
| 120 | ¥67.48042 | ¥8,097.65 |
| 510 | ¥61.82129 | ¥31,528.86 |
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