IRF640NSTRRPBF 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


Infineon Technologies
现货: 35,423
单价: ¥12.89000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: ¥13.30000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,490
单价: ¥17.73000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 277
单价: ¥17.40000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 1,472
单价: ¥17.40000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 661
单价: ¥24.46000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 4,058
单价: ¥18.14000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 5,476
单价: ¥18.14000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 780
单价: ¥23.23000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 6,074
单价: ¥15.73000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 5,076
单价: ¥22.82000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,850
单价: ¥12.56000
规格书

IRF640NSTRRPBF

DigiKey 零件编号
IRF640NSTRRPBFTR-ND - 卷带(TR)
IRF640NSTRRPBFCT-ND - 剪切带(CT)
IRF640NSTRRPBFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
IRF640NSTRRPBF
描述
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 200 V 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
67 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
基本产品编号