IRF640SPBF | ||
---|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRF640SPBF-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IRF640SPBF | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | |
原厂标准交货期 | 20 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 200 V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2PAK) | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | IRF640SPBF 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 11A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 70 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),130W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263(D2PAK) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
1 | ¥17.40000 | ¥17.40 |
50 | ¥13.95760 | ¥697.88 |
100 | ¥11.48410 | ¥1,148.41 |
500 | ¥9.71756 | ¥4,858.78 |
1,000 | ¥8.24514 | ¥8,245.14 |
2,000 | ¥7.83291 | ¥15,665.82 |
5,000 | ¥7.53845 | ¥37,692.25 |
10,000 | ¥7.28887 | ¥72,888.70 |
制造商标准包装
您可能还对以下元器件感兴趣查看所有 20 个结果
15 种货品