单 FET,MOSFET

结果 : 12
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V240 V250 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90mA(Ta)120mA(Ta)170mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)230mA(Ta)260mA(Ta)280mA(Ta)350mA(Ta)980mA(Tc)2.9A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.8V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
120 毫欧 @ 2.9A,10V900 毫欧 @ 980mA,10V3.5 欧姆 @ 200mA,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V6 欧姆 @ 170mA,10V6 欧姆 @ 260mA,10V6 欧姆 @ 350mA,10V12 欧姆 @ 190mA,10V45 欧姆 @ 120mA,10V45 欧姆 @ 90mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 108µA1V @ 94µA1.4V @ 26µA1.8V @ 108µA1.8V @ 26µA1.8V @ 50µA2V @ 130µA2.3V @ 94µA4V @ 20µA4V @ 380µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V2.8 nC @ 7 V4.9 nC @ 5 V5.5 nC @ 10 V5.7 nC @ 5 V5.8 nC @ 10 V6.1 nC @ 10 V6.6 nC @ 10 V12 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
41 pF @ 25 V43 pF @ 25 V45 pF @ 25 V68 pF @ 10 V97 pF @ 25 V104 pF @ 25 V108 pF @ 25 V131 pF @ 25 V146 pF @ 25 V150 pF @ 25 V319 pF @ 25 V340 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW(Ta)1W(Ta)1.8W(Ta)
供应商器件封装
PG-SOT223-4PG-SOT23PG-SOT323PG-SOT89PG-SOT89-4-2
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-4
BSP135H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Infineon Technologies
14,744
现货
1 : ¥16.66000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.90043
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
120mA(Ta)
0V,10V
45 欧姆 @ 120mA,10V
1V @ 94µA
4.9 nC @ 5 V
±20V
146 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
BSS138NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
14,960
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SN7002NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Infineon Technologies
5,981
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.39799
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
BSP125H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Infineon Technologies
4,652
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.42096
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
120mA(Ta)
4.5V,10V
-
2.3V @ 94µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-323
BSS138WH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
49,480
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
BAT1805E6327
BSS169H6906XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
44,876
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.20002
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 10 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
BSP321PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Infineon Technologies
749
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
980mA(Tc)
10V
900 毫欧 @ 980mA,10V
4V @ 380µA
12 nC @ 10 V
±20V
319 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-89 Pkg
BSS87H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥1.34075
卷带(TR)
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 260mA,10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT89-4-2
TO-243AA
SOT-223-4
BSP320SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥2.62937
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.9A(Tj)
10V
120 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 20µA
12 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP129H6906XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1V @ 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-89 Pkg
BSS192PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
190mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 190mA,10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
SOT-89 Pkg
BSS225H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Infineon Technologies
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
90mA(Ta)
4.5V,10V
45 欧姆 @ 90mA,10V
2.3V @ 94µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
131 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
显示
/ 12

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。