单 FET，MOSFET

结果 : 35
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
50 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），52A（Tc）12A（Ta），52A（Tc）15A（Ta），77A（Tc）17A（Ta），118A（Tc）17A（Ta），98A（Tc）18.5A（Ta），99A（Tc）19A（Ta），117A（Tc）19.4A（Ta），110A（Tc）20A（Ta），129A（Tc）21A（Ta），135A（Tc）21A（Ta），139A（Tc）22A（Ta），115A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.23 毫欧 @ 150A，10V1.4 毫欧 @ 100A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V1.6 毫欧 @ 100A，10V1.65 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 100A，10V1.75 毫欧 @ 150A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V1.95 毫欧 @ 100A，10V2.25 毫欧 @ 150A，10V2.3 毫欧 @ 100A，10V2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 139µA3.8V @ 169µA3.8V @ 194µA3.8V @ 216µA3.8V @ 267µA3.8V @ 30µA3.8V @ 46µA3.8V @ 55µA3.8V @ 84µA3.8V @ 85µA3.8V @ 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V42 nC @ 10 V54 nC @ 10 V76 nC @ 10 V81 nC @ 10 V85 nC @ 10 V133 nC @ 10 V154 nC @ 10 V155 nC @ 10 V186 nC @ 10 V195 nC @ 10 V241 nC @ 10 V242 nC @ 10 V255 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 50 V2000 pF @ 50 V2500 pF @ 40 V3600 pF @ 50 V3800 pF @ 40 V4000 pF @ 50 V6200 pF @ 40 V7300 pF @ 50 V8700 pF @ 40 V9300 pF @ 50 V11000 pF @ 50 V12000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），107W（Tc）3W（Ta），150W（Tc）3W（Ta），71W（Tc）3.8W（Ta），100W（Tc）3.8W（Ta），107W（Tc）3.8W（Ta），150W（Tc）3.8W（Ta），167W（Tc）3.8W（Ta），214W（Tc）3.8W（Ta），250W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）3.8W（Ta），71W（Tc）35W（Tc）41W（Tc）107W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-10PG-TO220 整包PG-TO220-3PG-TO252-3PG-TO263-3PG-TO263-7PG-TO263-7-14
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3 整包TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
35结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 35
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
577
现货
1 : ¥29.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
35A（Ta），196A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
1,439
现货
1 : ¥32.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Ta），184A（Tc）
6V，10V
2.6 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 169µA
154 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
IPF014N08NF2SATMA1
IPF017N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Infineon Technologies
1,600
现货
1 : ¥32.10000
剪切带（CT）
800 : ¥19.38740
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
259A（Tc）
6V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 194µA
186 nC @ 10 V
±20V
8700 pF @ 40 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPF014N08NF2SATMA1
IPF014N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Infineon Technologies
1,054
现货
1 : ¥38.50000
剪切带（CT）
800 : ¥23.26375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
282A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
3,839
现货
1 : ¥44.91000
剪切带（CT）
1,800 : ¥23.20472
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
39A（Ta），351A（Tc）
6V，10V
1.23 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-10
8-PowerSFN
48
现货
1 : ¥12.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
46A（Tc）
6V，10V
8.2 毫欧 @ 30A，10V
3.8V @ 46µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
70
现货
1 : ¥13.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta），77A（Tc）
6V，10V
8.2 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 46µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
363
现货
1 : ¥15.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
18.5A（Ta），99A（Tc）
6V，10V
5.5 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 55µA
54 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
809
现货
1 : ¥19.54000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
22A（Ta），115A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 80A，10V
3.8V @ 85µA
81 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
273
现货
1 : ¥22.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Ta），182A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 139µA
133 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
1,001
现货
1 : ¥13.46000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Ta），52A（Tc）
6V，10V
12.9 毫欧 @ 30A，10V
3.8V @ 30µA
28 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
942
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Ta），191A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 194µA
186 nC @ 10 V
±20V
8700 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
18
现货
1 : ¥37.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
83A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 169µA
154 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 50 V
-
41W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
1,977
现货
1 : ¥9.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11A（Ta），52A（Tc）
6V，10V
13 毫欧 @ 30A，10V
3.8V @ 30µA
28 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
3W（Ta），71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,815
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.30671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17A（Ta），98A（Tc）
6V，10V
5.5 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 55µA
54 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
3W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPB019N08NF2SATMA1
IPB055N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
598
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
800 : ¥8.13188
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
94A（Tc）
6V，10V
5.5 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 55µA
54 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
547
现货
1 : ¥16.01000
剪切带（CT）
800 : ¥8.96369
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21A（Ta），135A（Tc）
6V，10V
4.35 毫欧 @ 80A，10V
3.8V @ 93µA
85 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
3,562
现货
1 : ¥16.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥7.25288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
20A（Ta），129A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 70A，10V
3.8V @ 85µA
81 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
3W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
813
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
800 : ¥9.16481
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
103A（Tc）
6V，10V
5.05 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 85µA
76 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 50 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
1,321
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
800 : ¥9.82556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19A（Ta），117A（Tc）
6V，10V
5.05 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 84µA
76 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
281
现货
1 : ¥19.87000
剪切带（CT）
800 : ¥11.10479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21A（Ta），139A（Tc）
6V，10V
4.25 毫欧 @ 80A，10V
3.8V @ 93µA
85 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
IPF014N08NF2SATMA1
IPF039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Infineon Technologies
682
现货
1 : ¥22.74000
剪切带（CT）
800 : ¥13.75456
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
126A（Tc）
6V，10V
3.9 毫欧 @ 80A，10V
3.8V @ 85µA
81 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPB019N08NF2SATMA1
IPB040N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
790
现货
1 : ¥23.56000
剪切带（CT）
800 : ¥14.21356
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
107A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 80A，10V
3.8V @ 85µA
81 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPB019N08NF2SATMA1
IPB024N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
725
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
800 : ¥14.81449
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
107A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 85µA
133 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 40 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPB019N08NF2SATMA1
IPB019N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
307
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
800 : ¥15.57200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
166A（Tc）
6V，10V
1.95 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 194µA
186 nC @ 10 V
±20V
8700 pF @ 40 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 35

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。