Name: IPD130N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 14.72 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPD130N10NF2SATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPD130N10NF2SATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPD130N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD130N10NF2SATMA1
描述	MOSFET
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 11A（Ta），52A（Tc） 3W（Ta），71W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPD130N10NF2SATMA1 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 30µA
系列 StrongIRFET™ 2	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1300 pF @ 50 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3W（Ta），71W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Ta），52A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO252-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

现货: 1,793

检查是否有其他入库库存

数量

所有价格均以 CNY 计算

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。

卷带（TR）

制造商标准包装

您可能还对以下元器件感兴趣

1 种货品

IRLR3110ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Infineon Technologies

IPD130N10NF2SATMA1