IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

FD300R07PE4B6BOSA1 IGBT MOD 650V 300A 940W Infineon Technologies	0 现货查看交期	6 : ¥1,165.91333 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	650 V	300 A	940 W	1.95V @ 15V，300A	1 mA	18.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS100R07PE4BOSA1 IGBT MOD 650V 100A 335W Infineon Technologies	0 现货查看交期	6 : ¥1,411.19167 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	650 V	100 A	335 W	1.95V @ 15V，100A	1 mA	6.2 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FD200R12PT4B6BOSA1 IGBT MOD 1200V 300A 1100W Infineon Technologies	0 现货	6 : ¥1,462.84333 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	不适用于新设计	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	300 A	1100 W	2.1V @ 15V，200A	15 µA	12.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS100R17PE4BOSA1 IGBT MOD 1700V 100A 600W Infineon Technologies	0 现货查看交期	6 : ¥1,609.16667 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	1700 V	100 A	600 W	2.3V @ 15V，100A	1 mA	9 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
DF200R12PT4B6BOSA1 IGBT MOD 1200V 300A 1100W Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	EconoPACK™ 4	托盘	Digi-Key 停止提供	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	300 A	1100 W	2.1V @ 15V，200A	15 µA	12.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
F3L300R12PT4PB26BOSA1 IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1 Infineon Technologies	0 现货查看交期	6 : ¥2,529.83000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FS200R12PT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 280A 1000W Infineon Technologies	24 现货	1 : ¥2,056.69000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	280 A	1000 W	2.15V @ 15V，200A	1 mA	14 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
F3L300R07PE4BOSA1 IGBT MOD 650V 300A 940W Infineon Technologies	5 现货	1 : ¥2,065.22000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	650 V	300 A	940 W	1.95V @ 15V，300A	1 mA	18.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS150R12PT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 200A 680W Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥1,901.73000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	200 A	680 W	2.15V @ 15V，150A	1 mA	9.35 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
F3L300R07PE4PBOSA1 IGBT MOD 650V 300A 20MW Infineon Technologies	6 现货	1 : ¥1,600.52000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	全桥	650 V	300 A	20 mW	1.75V @ 15V，280A	1 mA	18.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
F3L200R07PE4BOSA1 IGBT MOD 650V 200A 680W Infineon Technologies	3 现货	1 : ¥1,772.63000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	650 V	200 A	680 W	1.95V @ 15V，200A	1 mA	12.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS150R17PE4BOSA1 IGBT MOD 1700V 150A 835W Infineon Technologies	6 现货	1 : ¥1,996.36000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	1700 V	150 A	835 W	2.3V @ 15V，150A	1 mA	13.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS200R12PT4PBOSA1 IGBT MOD 1200V 200A 20MW Infineon Technologies	6 现货	1 : ¥2,091.08000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	全桥	1200 V	200 A	20 mW	2.15V @ 15V，200A	1 mA	14 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
F3L400R12PT4B26BOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 2150W Infineon Technologies	9 现货	1 : ¥2,615.86000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	-	三相反相器	1200 V	600 A	2150 W	2.15V @ 15V，400A	1 mA	25 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
F3L400R12PT4PB26BOSA1 IGBT MOD 1200V 800A 20MW Infineon Technologies	6 现货	1 : ¥2,650.25000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	-	全桥	1200 V	800 A	20 mW	2.15V @ 15V，400A	1 mA	25 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS150R07PE4BOSA1 IGBT MOD 650V 150A 430W Infineon Technologies	0 现货	停产	EconoPACK™ 4	托盘	停产	沟槽型场截止	三相反相器	650 V	150 A	430 W	1.95V @ 15V，150A	1 mA	9.3 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FS100R12PT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 135A 500W Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥1,764.09000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	135 A	500 W	2.15V @ 15V，100A	1 mA	6.3 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
DF300R07PE4B6BOSA1 IGBT MOD 650V 300A 940W Infineon Technologies	0 现货查看交期	6 : ¥1,841.43667 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	650 V	300 A	940 W	1.95V @ 15V，300A	1 mA	18.5 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FD1200R17KE3KNOSA1 IGBT MOD 1700V 1600A 5950W Infineon Technologies	0 现货	2 : ¥8,047.04000 托盘	EconoPACK™ 4	托盘	不适用于新设计	-	双制动斩波器	1700 V	1600 A	5950 W	2.45V @ 15V，1200A	5 mA	110 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块

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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

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