FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V60V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.2 毫欧 @ 17A,10V7.6 毫欧 @ 17A,10V11.2 毫欧 @ 17A,10V15.5 毫欧 @ 17A,10V18 毫欧 @ 17A,10V18.4 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 28µA2.2V @ 30µA2.2V @ 8µA4V @ 20µA4V @ 30µA4V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V29nC @ 10V36nC @ 10V38nC @ 10V52nC @ 10V55nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
789pF @ 25V1071pF @ 25V2250pF @ 30V2940pF @ 25V2950pF @ 20V3990pF @ 20V4020pF @ 30V
功率 - 最大值
2.3W(Ta),65W(Tc)26W(Tc)50W(Tc)65W(Tc)
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装
PG-TDSON-8-10PG-TDSON-8-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
BSC112N06LDATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
11,636
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.32476
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V20A(Tc)11.2 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 28µA55nC @ 10V4020pF @ 30V65W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
BSC155N06NDATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
7,240
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.30971
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V20A(Tc)15.5 毫欧 @ 17A,10V4V @ 20µA29nC @ 10V2250pF @ 30V50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
BSC072N04LDATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
13,148
现货
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.08657
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门40V20A(Tc)7.2 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 30µA52nC @ 10V3990pF @ 20V65W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
BSC076N04NDATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
4,480
现货
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.09401
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V20A(Tc)7.6 毫欧 @ 17A,10V4V @ 30µA38nC @ 10V2950pF @ 20V2.3W(Ta),65W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
P-PG-TDSON-8-10
IPG20N04S4L18AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
4,770
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.23366
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V20A(Tc)18 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 8µA15nC @ 10V1071pF @ 25V26W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IPG20N04S408BATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
4,998
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.85840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V20A(Tc)7.6 毫欧 @ 17A,10V4V @ 30µA36nC @ 10V2940pF @ 25V65W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IPG20N04S418AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
5,000 : ¥3.23366
卷带(TR)
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V20A(Tc)18.4 毫欧 @ 17A,10V4V @ 8µA15nC @ 10V789pF @ 25V26W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
显示
/ 7

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。