单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial Coonsemi
系列
-OptiMOS™SIPMOS®SIPMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)210mA(Ta)220mA(Ta)230mA(Ta)280mA(Ta)1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 1.4A,10V3 欧姆 @ 500mA,10V3.5 欧姆 @ 200mA,10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 5 V1.1 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V38 pF @ 25 V41 pF @ 25 V43 pF @ 25 V50 pF @ 10 V94 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)300mW(Ta)340mW(Ta)350mW(Ta)360mW(Ta)500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT23PG-SOT323SOT-23SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
840,895
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41597
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
95,083
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48227
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
611,845
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 323
BSS138W-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT323
Micro Commercial Co
32,303
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36666
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 1mA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS138NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
14,960
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138WH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
155,692
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54067
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
115,309
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
117,888
现货
1 : ¥1.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138TA
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60645
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。