单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ CFSDCoolMOS™ P7EEFFRFET®, SUPERFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）35A（Tc）38A（Tc）40A（Tc）41A（Tc）45A（Tc）47A（Tc）48A（Tc）51A（Tc）54A（Tc）61A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
37 毫欧 @ 32.6A，10V45 毫欧 @ 22.5A，10V50 毫欧 @ 23A，10V52 毫欧 @ 23A，10V54 毫欧 @ 26.5A，10V55 毫欧 @ 22.5A，10V60 毫欧 @ 15.9A，10V65 毫欧 @ 16A，10V68 毫欧 @ 16A，10V80 毫欧 @ 17A，10V99毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.08mA4V @ 250µA4V @ 800µA4.5V @ 1.63mA4.8V @ 5.2mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V74 nC @ 10 V77 nC @ 10 V85.2 nC @ 10 V90 nC @ 10 V92 nC @ 10 V101 nC @ 10 V130 nC @ 10 V136 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2557 pF @ 100 V2628 pF @ 100 V2700 pF @ 100 V2895 pF @ 400 V3200 pF @ 50 V3380 pF @ 100 V3459 pF @ 100 V3722 pF @ 100 V3891 pF @ 400 V4603 pF @ 400 V5623 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
39W（Tc）164W（Tc）201W（Tc）227W（Tc）245W（Tc）250W（Tc）278W（Tc）322W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-41TO-220 整包TO-220-3TO-220ABTO-247ACTO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
233
现货
1 : ¥50.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
920
现货
1 : ¥63.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
61A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 22.5A，10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO220AB Package
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Vishay Siliconix
798
现货
1 : ¥24.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
35A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 17A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2557 pF @ 100 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
LM7812TP
SIHF068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Vishay Siliconix
673
现货
1 : ¥30.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
68 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
D2PAK(TO-263)
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Vishay Siliconix
1,010
现货
1 : ¥49.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
47A（Tc）
10V
54 毫欧 @ 26.5A，10V
5V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
3722 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 AC EP
SIHG065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Vishay Siliconix
630
现货
1 : ¥41.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
40A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±30V
2700 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Vishay Siliconix
374
现货
1 : ¥47.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
41A（Tc）
10V
68 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
SIHP052N60EF-GE3
MOSFET EF SERIES TO-220AB
Vishay Siliconix
936
现货
1 : ¥54.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
52 毫欧 @ 23A，10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
3380 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
SIHG050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Vishay Siliconix
482
现货
1 : ¥77.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
51A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 23A，10V
5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±30V
3459 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
167
现货
1 : ¥88.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
54A（Tc）
10V
37 毫欧 @ 32.6A，10V
4.5V @ 1.63mA
136 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
245W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-263
NVB055N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
onsemi
800
现货
800 : ¥35.53655
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
45A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 22.5A，10V
4.8V @ 5.2mA
85.2 nC @ 10 V
±30V
4603 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GSFH06100
SSFH6538
MOSFET, N-CH, SINGLE, 38A, 650V,
Good-Ark Semiconductor
593
现货
1 : ¥23.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
38A（Tc）
10V
99毫欧 @ 19A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±30V
3200 pF @ 50 V
-
322W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。