单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）59A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 29.5A，10V55 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 5.2mA4.8V @ 7.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
85.2 nC @ 10 V115 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4603 pF @ 400 V6318 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
278W（Tc）347W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
NVB055N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
onsemi
800
现货
800 : ¥35.53426
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
45A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 22.5A，10V
4.8V @ 5.2mA
85.2 nC @ 10 V
±30V
4603 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3
NVHL040N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
onsemi
363
现货
1 : ¥83.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
59A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 29.5A，10V
4.8V @ 7.2mA
115 nC @ 10 V
±30V
6318 pF @ 400 V
-
347W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL055N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥63.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
45A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 22.5A，10V
4.8V @ 5.2mA
85.2 nC @ 10 V
±30V
4603 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。