单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 6A，5V3.3 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.2mA2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V2.2 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.4 pF @ 50 V220 pF @ 50 V
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
82,758
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V500mA（Ta）5V3.3 欧姆 @ 50mA，5V2.5V @ 20µA0.044 nC @ 5 V+6V，-4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
22,066
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.38099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道GaNFET（氮化镓）100 V6A（Ta）5V30 毫欧 @ 6A，5V2.5V @ 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V，-4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。