6A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 274
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-*CoolMOS™CoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™PFD7CoolSIC™ M1DeepGATE™, STripFET™ VIDepletionE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V1.95V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V4.5V,10V5V,10V10V15V16V,20V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.3 毫欧 @ 3A,4.5V14.3 毫欧 @ 3A,4.5V17 毫欧 @ 7.2A,4.5V17 毫欧 @ 9.9A,4.5V19 毫欧 @ 9.1A,10V20 毫欧 @ 3A,4.5V20 毫欧 @ 6.5A,4.5V20 毫欧 @ 8.3A,4.5V20 毫欧 @ 9.1A,4.5V22 毫欧 @ 4.2A,10V24 毫欧 @ 4.8A,10V24 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V6 nC @ 18 V6.2 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V6.8 nC @ 400 V7 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V8.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±12V±15V±16V±20V+23V,-10V+23V,-5V+25V,-5V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
184 pF @ 1000 V190 pF @ 50 V201 pF @ 400 V211 pF @ 400 V270 pF @ 100 V273 pF @ 100 V280 pF @ 25 V283 pF @ 24 V311 pF @ 100 V324 pF @ 100 V325 pF @ 15 V333 pF @ 1000 V
FET 功能
-耗尽模式肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
350mW(Tc)800mW(Tc)850mW(Ta),20W(Tc)1.2W(Ta),1.7W(Tc)1.2W(Tc)1.25W(Ta),2.1W(Tc)1.25W(Ta),2.5W(Tc)1.25W(Ta),20W(Tc)1.25W(Tc)1.3W(Ta),2.5W(Tc)1.6W(Ta),3.3W(Tc)1.6W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/555
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP6-WDFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-QFN(2x2)8-SOIC8-SOP1206-8 ChipFET™CPT3D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAK
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® CHIPFET™ 单PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-75-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-205AF 金属罐
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
274结果
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/ 274
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Micro Commercial Co
26,790
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Tc)
4.5V
150 毫欧 @ 500mA,1.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 4.5 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
350mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
14,924
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Tc)
1.5V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
119,532
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
1.8V,4.5V
31.8 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5547
SI5457DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
25,298
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
2.5V,4.5V
36 毫欧 @ 4.9A,4.5V
1.4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
5.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Infineon Technologies
1,951
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.7A,10V
4V @ 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
363 pF @ 400 V
-
30W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6NF10T4
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
STMicroelectronics
4,974
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.63303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,606
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6A(Tc)
4.5V,10V
58 毫欧 @ 5.4A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
665 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta),19.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,986
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84014
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA(最小)
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
2.9W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
PG-SOT223
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Infineon Technologies
5,868
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.26456
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
6A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.7A,10V
3.5V @ 140µA
15 nC @ 10 V
±20V
478 pF @ 400 V
-
7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
4,884
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.52033
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.2A,10V
3.5V @ 110µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 500 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
IXYS
3,694
现货
1 : ¥83.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
6A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 500mA,10V
5V @ 1mA
92 nC @ 10 V
±30V
2830 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA(IXFA)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
9,814
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.17896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6A(Tc)
4.5V,10V
90 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
525 pF @ 30 V
-
7.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
Pkg 5540
SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Vishay Siliconix
13,855
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
1.8V,4.5V
38 毫欧 @ 5.2A,4.5V
1V @ 250µA
45 nC @ 8 V
±8V
1300 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta),3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,982
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
2.5V,10V
34 毫欧 @ 5.1A,10V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±12V
835 pF @ 10 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Vishay Siliconix
4,715
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
6A(Tc)
1.2V,4.5V
17 毫欧 @ 7.2A,4.5V
800mV @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±5V
1070 pF @ 4 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
STT6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
STMicroelectronics
24,194
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.87863
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±20V
283 pF @ 24 V
-
1.6W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
8-SOIC
SI4485DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Vishay Siliconix
6,491
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 5.9A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Infineon Technologies
12,305
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.16339
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 1.1A,10V
3.5V @ 60µA
6.8 nC @ 10 V
±16V
211 pF @ 400 V
-
30.5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
SI2323CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,762
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.24490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1090 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
STS6NF20V
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STMicroelectronics
3,801
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.48596
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
1.95V,4.5V
40 毫欧 @ 3A,4.5V
600mV @ 250µA(最小)
11.5 nC @ 4.5 V
±12V
460 pF @ 15 V
-
2.5W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Pkg 5547
SI5424DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
4,681
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 4.8A,10V
2.3V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±25V
950 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
Pkg 5547
SI5403DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
5,723
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 7.2A,10V
3V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1340 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),6.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9N40M2
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
STMicroelectronics
2,485
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.39535
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
6A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
270 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPA95R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO220
Infineon Technologies
335
现货
1 : ¥12.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
6A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.7A,10V
3.5V @ 140µA
15 nC @ 10 V
±20V
478 pF @ 400 V
-
27W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
SPP06N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Infineon Technologies
4,865
现货
1 : ¥17.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 3.8A,10V
3.9V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 274

6A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。