5.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 29
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Fairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductoronsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-MDmesh™ IIPowerMESH™QFET®SuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V16 V20 V30 V100 V200 V600 V800 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 4A,4.5V33 毫欧 @ 4A,4.5V35 毫欧 @ 4.4A,4.5V36 毫欧 @ 4.5A,10V45 毫欧 @ 4.1A,4.5V350 毫欧 @ 2.9A,10V700 毫欧 @ 2.9A,10V900 毫欧 @ 2.5A,10V1.9 欧姆 @ 2.9A,10V1.95 欧姆 @ 2.9A,10V2 欧姆 @ 2.9A,10V2 欧姆 @ 3A,10V2.3 欧姆 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA4.5V @ 250µA4.75V @ 250µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.4 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V6 nC @ 5 V7.5 nC @ 10 V7.7 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V31 nC @ 10 V40 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
235 pF @ 25 V237 pF @ 100 V250 pF @ 25 V290 pF @ 25 V335 pF @ 15 V363 pF @ 50 V535 pF @ 10 V740 pF @ 4 V775 pF @ 10 V960 pF @ 4 V1350 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),1.7W(Tc)1.25W(Ta),2.1W(Tc)1.56W(Tc)1.7W(Tc)2.5W(Ta),25W(Tc)3.13W(Ta),158W(Tc)3.13W(Ta),167W(Tc)27W(Tc)30W(Tc)55W(Tc)68W(Tc)72W(Tc)135W(Tc)140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)14-PowerFLAT™(5x5)D2PAKSOT-23SOT-23-3(TO-236)TO-220TO-220-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-247-3TO-252(DPAK)TO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘14-PowerVQFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
29结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 29
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
36,272
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.8A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
16,144
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22305
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Tc)
10V
36 毫欧 @ 4.5A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
235,431
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99402
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Tc)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±10V
535 pF @ 10 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220FP
STP6NK90ZFP
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
STMicroelectronics
857
现货
1 : ¥18.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2.9A,10V
4.5V @ 100µA
60.5 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
D²PAK
STB6NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
STMicroelectronics
1,528
现货
1 : ¥25.20000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.04467
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2.9A,10V
4.5V @ 100µA
60.5 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP6NK90Z
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
STMicroelectronics
813
现货
1 : ¥26.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2.9A,10V
4.5V @ 100µA
60.5 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
GSFKW0202
SSF2314
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59702
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Tc)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 4A,4.5V
-
11 nC @ 4.5 V
±10V
775 pF @ 10 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G2012
G66
P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45M@-4.5V,VT
Goford Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥3.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84526
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
16 V
5.8A(Tc)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.1A,4.5V
1V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
740 pF @ 4 V
-
1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-DFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
GSFKW0202
GSFC0213
MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Good-Ark Semiconductor
5,940
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69653
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Tc)
1.5V,4.5V
33 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±10V
2100 pF @ 15 V
-
1.56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
IRG4RC10UTRPBF
FQD7N10TM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Fairchild Semiconductor
173,355
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.8A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 250µA
7.5 nC @ 10 V
±25V
250 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF12N60T
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Fairchild Semiconductor
1,336
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.8A(Tc)
10V
700 毫欧 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1900 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF12N60
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Fairchild Semiconductor
55,453
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.8A(Tc)
10V
700 毫欧 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1900 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-247-3
STW7NK90Z
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
STMicroelectronics
69
现货
1 : ¥33.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 2.9A,10V
4.5V @ 100µA
60.5 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-23
TSM250N02CX
20V, 5.8A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
查看交期
12,000 : ¥2.09787
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Tc)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±10V
535 pF @ 10 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252AA
FQD7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥2.14106
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.8A(Tc)
5V,10V
350 毫欧 @ 2.9A,10V
2V @ 250µA
6 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FQD7N10LTM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.8A(Tc)
5V,10V
350 毫欧 @ 2.9A,10V
2V @ 250µA
6 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
2,500 : ¥5.59247
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.8A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.5A,10V
4.75V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±25V
237 pF @ 100 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
14-Power
STL7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
STMicroelectronics
0
现货
3,000 : ¥9.81521
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.8A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
363 pF @ 50 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
14-PowerFLAT™(5x5)
14-PowerVQFN
TO-263
FQB6N80TM
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.8A(Tc)
10V
1.95 欧姆 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),158W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP6NB90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 3A,10V
5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±30V
1400 pF @ 25 V
-
135W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
FQP6N80
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.8A(Tc)
10V
1.95 欧姆 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
1.9 欧姆 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1880 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
FQB6N90TM_AM002
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
1.9 欧姆 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1880 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220F
FQPF12N60T
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.8A(Tc)
10V
700 毫欧 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1900 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-3P-3,TO-247-3
FQA5N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.8A(Tc)
10V
2.3 欧姆 @ 2.9A,10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1550 pF @ 25 V
-
185W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
显示
/ 29

5.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。