5.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 111
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MDmesh™ II PlusMDmesh™ M2MDmesh™ M2-EPMDmesh™ M6Military, MIL-PRF-19500/557PowerMESH™ IIQFET®SIPMOS®SuperMESH3™TrenchFET®TrenchMOS™UniFET-II™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V55 V60 V100 V150 V200 V250 V300 V400 V500 V600 V620 V650 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V12V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24.5 毫欧 @ 5.5A,10V25 毫欧 @ 4A,10V32 毫欧 @ 4A,4.5V82 毫欧 @ 4.5A,10V84 毫欧 @ 3.9A,10V137 毫欧 @ 5A,10V150 毫欧 @ 5A,10V150 毫欧 @ 5A,5V350 毫欧 @ 2.75A,10V364 毫欧 @ 5.5A,12V400 毫欧 @ 3.5A,10V420 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA4.75V @ 250µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.29 nC @ 10 V5.3 nC @ 5 V5.6 nC @ 10 V6 nC @ 5 V6.2 nC @ 10 V7 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V8.9 nC @ 4.5 V9 nC @ 5 V9.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±15V±20V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
175 pF @ 25 V220 pF @ 100 V230 pF @ 25 V250 pF @ 25 V290 pF @ 25 V300 pF @ 25 V320 pF @ 100 V320 pF @ 25 V325 pF @ 100 V330 pF @ 25 V335 pF @ 75 V338 pF @ 100 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),25W(Tc)1.5W(Tc)1.56W(Tc)1.8W(Tc)2.5W(Ta),45W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3.1W(Ta),74W(Tc)3.13W(Ta),130W(Tc)3.13W(Ta),63W(Tc)4W(Ta),75W(Tc)5W(Tc)6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
军用汽车级
资质
AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/601
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SOIC18-ULCC(9.14x7.49)DPAKI2PAKIPAKITO-220ITO-220ABPG-TO220-3PowerFlat™(5x6)HVSC-73SOT-223
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)18-CLCCSOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-204AA,TO-3TO-205AF 金属罐TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-220-5TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
111结果
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/ 111
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
109,449
现货
4,000 : ¥1.37782
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.5A(Tc)4.5V,10V137 毫欧 @ 5A,10V2V @ 1mA5.3 nC @ 5 V±15V320 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK78150-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
72,436
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.31185
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.5A(Tc)10V150 毫欧 @ 5A,10V4V @ 1mA-±20V230 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
84,159
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10555
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.5A(Tc)2.5V,4.5V32 毫欧 @ 4A,4.5V900mV @ 250µA8.9 nC @ 4.5 V±12V792 pF @ 15 V-1.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB
IRF730PBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
27,112
现货
1 : ¥12.40000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V5.5A(Tc)10V1 欧姆 @ 3.3A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±20V700 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STMicroelectronics
2,747
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.08776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5.5A(Tc)10V1.25 欧姆 @ 2A,10V4V @ 250µA6.2 nC @ 10 V±25V220 pF @ 100 V-6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223-2TO-261-3
846~TSMT8~~8 Top
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
Rohm Semiconductor
6,326
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.53117
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.5A(Tc)10V24.5 毫欧 @ 5.5A,10V2.5V @ 1mA18.8 nC @ 10 V±20V860 pF @ 15 V-1.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TSMT88-SMD,扁平引线
TO-220AB
IRF730APBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
999
现货
1 : ¥15.11000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V5.5A(Tc)-1 欧姆 @ 3.3A,10V4.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±30V600 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF730APBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
607
现货
1 : ¥15.11000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V5.5A(Tc)10V1 欧姆 @ 3.3A,10V4.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±30V600 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF730ASPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Vishay Siliconix
1,558
现货
1 : ¥18.06000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V5.5A(Tc)10V1 欧姆 @ 3.3A,10V4.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±30V600 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FQP6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
onsemi
140
现货
1 : ¥19.13000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V5.5A(Tc)10V2.5 欧姆 @ 2.75A,10V5V @ 250µA30 nC @ 10 V±30V1310 pF @ 25 V-158W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-220AB Full Pack
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Vishay Siliconix
900
现货
1 : ¥32.92000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5.5A(Tc)10V750 毫欧 @ 3.3A,10V4V @ 250µA49 nC @ 10 V±30V1400 pF @ 25 V-60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220AB
IRF730PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
2,981
现货
1 : ¥12.40000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V5.5A(Tc)10V1 欧姆 @ 3A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±20V700 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220FP
STF6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
957
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)620 V5.5A(Tc)10V1.28 欧姆 @ 2.8A,10V4.5V @ 50µA34 nC @ 10 V±30V875 pF @ 50 V-30W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
SOT223
BUK78150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
3,819
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.11536
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.5A(Tc)10V150 毫欧 @ 5A,10V4V @ 1mA-±20V230 pF @ 25 V-8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
STMicroelectronics
3,700
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.20230
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5.5A(Tc)10V780 毫欧 @ 3A,10V4V @ 250µA10 nC @ 10 V±25V320 pF @ 100 V-60W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
I-Pak
STU9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
STMicroelectronics
3,000
现货
1 : ¥10.75000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5.5A(Tc)10V780 毫欧 @ 3A,10V4V @ 250µA10 nC @ 10 V±25V320 pF @ 100 V-60W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-251(IPAK)TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-F
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
1,988
现货
1 : ¥11.66000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5.5A(Tc)10V780 毫欧 @ 3A,10V4V @ 250µA10 nC @ 10 V±25V320 pF @ 100 V-20W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
I-Pak
STU6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
STMicroelectronics
14,990
现货
1 : ¥15.68000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)620 V5.5A(Tc)10V1.2 欧姆 @ 2.8A,10V4.5V @ 50µA30 nC @ 10 V±30V875 pF @ 50 V-90W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-251(IPAK)TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
568-SOT-223(SC-73)SOT223-1
PHT6N06T,135
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.5A(Tc)10V150 毫欧 @ 5A,10V4V @ 1mA5.6 nC @ 10 V±20V175 pF @ 25 V-8.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-73TO-261-4,TO-261AA
TO-220AB Full Pack
NDF05N50ZH
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5.5A(Tc)10V1.5 欧姆 @ 2.2A,10V4.5V @ 50µA28 nC @ 10 V±30V632 pF @ 25 V-30W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-2 整包TO-220-3 整包
TO-220-3 Full Pack
NDF05N50ZG
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5.5A(Tc)10V1.5 欧姆 @ 2.2A,10V4.5V @ 50µA28 nC @ 10 V±30V632 pF @ 25 V-30W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FPTO-220-3 整包
BAT54
GSFC0306
MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Good-Ark Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.5A(Tc)4.5V,10V25 毫欧 @ 4A,10V2.5V @ 250µA7 nC @ 4.5 V±20V520 pF @ 15 V-1.56W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220-3
BUZ73ALHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V5.5A(Tc)5V600 毫欧 @ 3.5A,5V2V @ 1mA-±20V840 pF @ 25 V-40W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔PG-TO220-3TO-220-3
TO-252AA
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
onsemi
2,500
现货
2,500 : ¥4.07893
卷带(TR)
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V5.5A(Tc)10V700 毫欧 @ 2.75A,10V5V @ 250µA17 nC @ 10 V±30V610 pF @ 25 V-2.5W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
FQP6N60C
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5.5A(Tc)10V2 欧姆 @ 2.75A,10V4V @ 250µA20 nC @ 10 V±30V810 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
显示
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5.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。