NDF05N50ZH 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 783
单价: ¥14.20000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 40
单价: ¥8.13000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 27
单价: ¥9.60000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 50
单价: ¥10.51000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 24
单价: ¥10.59000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 50
单价: ¥10.51000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: ¥11.41000

NDF05N50ZH

DigiKey 零件编号
NDF05N50ZH-ND
制造商
制造商产品编号
NDF05N50ZH
描述
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 500 V 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220-2 整包
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
28 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
632 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-2 整包
封装/外壳
基本产品编号