31A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFR3410TRPBF MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Infineon Technologies	16,313 现货	1 : ¥8.37000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.45080 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	31A（Tc）	10V	39 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1690 pF @ 25 V	-	3W（Ta），110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFU5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Infineon Technologies	5,854 现货	1 : ¥8.70000 管件	HEXFET®	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRFR5305TRLPBF MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Infineon Technologies	40,628 现货	1 : ¥10.75000 剪切带（CT） 3,000 : ¥4.43658 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR5305TRPBF MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Infineon Technologies	3,671 现货	1 : ¥10.75000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.43658 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	40,430 现货	1 : ¥11.33000 管件	HEXFET®	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	60 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305STRLPBF MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Infineon Technologies	7,757 现货	1 : ¥12.48000 剪切带（CT） 800 : ¥6.98821 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	60 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPW60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Infineon Technologies	1,097 现货	1 : ¥53.61000 管件	CoolMOS™ CFD7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	31A（Tc）	10V	70 毫欧 @ 15.1A，10V	4.5V @ 760µA	67 nC @ 10 V	±20V	2721 pF @ 400 V	-	156W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-21	TO-247-3
UJ3C065080K3S MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Qorvo	127 现货	1 : ¥65.92000 管件	-	管件	在售	N 通道	-	650 V	31A（Tc）	12V	111 毫欧 @ 20A，12V	6V @ 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	190W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IPB60R099CPATMA1 MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Infineon Technologies	2,943 现货	1 : ¥66.99000 剪切带（CT） 1,000 : ¥38.00846 卷带（TR）	CoolMOS™ CP	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	31A（Tc）	10V	99 毫欧 @ 18A，10V	3.5V @ 1.2mA	80 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 100 V	-	255W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NTHL080N120SC1A SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3 onsemi	191 现货	1 : ¥89.65000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	31A（Tc）	20V	110 毫欧 @ 20A，20V	4.3V @ 5mA	56 nC @ 20 V	+25V，-15V	1670 pF @ 800 V	-	178W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IGT60R070D1ATMA4 GANFET N-CH Infineon Technologies	2,832 现货	1 : ¥94.74000 剪切带（CT） 2,000 : ¥55.81125 卷带（TR）	CoolGaN™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	600 V	31A（Tc）	-	-	1，6V @ 2，6mA	-	-10V	380 pF @ 400 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-3	8-PowerSFN
IGOT60R070D1AUMA3 GANFET N-CH Infineon Technologies	1,000 现货	1 : ¥101.55000 剪切带（CT）	CoolGaN™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	600 V	31A（Tc）	-	-	1，6V @ 2，6mA	-	-10V	380 pF @ 400 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-DSO-20-87	20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
IRFU3410PBF MOSFET N-CH 100V 31A IPAK Infineon Technologies	3,201 现货	1 : ¥9.11000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	31A（Tc）	10V	39 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1690 pF @ 25 V	-	3W（Ta），110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRFR3410TRLPBF MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Infineon Technologies	10,898 现货	1 : ¥9.19000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.79600 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	31A（Tc）	10V	39 毫欧 @ 18A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1690 pF @ 25 V	-	3W（Ta），110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFIZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP Infineon Technologies	1,209 现货	1 : ¥12.64000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	24 毫欧 @ 17A，10V	4V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB 整包	TO-220-3 整包
IRFP140PBF MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3 Vishay Siliconix	596 现货	1 : ¥32.76000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	31A（Tc）	10V	77 毫欧 @ 19A，10V	4V @ 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 25 V	-	180W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IPP60R099P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Infineon Technologies	1,818 现货	1 : ¥34.07000 管件	CoolMOS™ P7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	31A（Tc）	10V	99 毫欧 @ 10.5A，10V	4V @ 530µA	45 nC @ 10 V	±20V	1952 pF @ 400 V	-	117W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3	TO-220-3
IRFP31N50LPBF MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3 Vishay Siliconix	1,433 现货	1 : ¥42.52000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	31A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 19A，10V	5V @ 250µA	210 nC @ 10 V	±30V	5000 pF @ 25 V	-	460W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
UF3C065080T3S MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Qorvo	7,559 现货	1 : ¥43.18000 管件	-	管件	在售	N 通道	-	650 V	31A（Tc）	12V	100 毫欧 @ 20A，12V	6V @ 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	190W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
UJ3C065080T3S MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Qorvo	6,419 现货	1 : ¥43.18000 管件	-	管件	在售	N 通道	-	650 V	31A（Tc）	12V	100 毫欧 @ 20A，12V	6V @ 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	190W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
IPP60R099CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Infineon Technologies	1,039 现货	1 : ¥66.99000 管件	CoolMOS™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	31A（Tc）	10V	99 毫欧 @ 18A，10V	3.5V @ 1.2mA	80 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 100 V	-	255W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3	TO-220-3
IPB60R099CPAATMA1 MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Infineon Technologies	355 现货	1 : ¥69.29000 剪切带（CT） 1,000 : ¥39.30915 卷带（TR）	CoolMOS™ CP	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	31A（Tc）	10V	105 毫欧 @ 18A，10V	3.5V @ 1.2mA	80 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 100 V	-	255W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPW60R099CPFKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Infineon Technologies	228 现货	1 : ¥73.31000 管件	CoolMOS™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	31A（Tc）	10V	99 毫欧 @ 18A，10V	3.5V @ 1.2mA	80 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 100 V	-	255W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-1	TO-247-3
SCT3080KRC14 SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L Rohm Semiconductor	390 现货	1 : ¥135.29000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	31A（Tc）	18V	104 毫欧 @ 10A，18V	5.6V @ 5mA	60 nC @ 18 V	+22V，-4V	785 pF @ 800 V	-	165W	175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
IPW60R099P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Infineon Technologies	190 现货	1 : ¥41.29000 管件	CoolMOS™ P7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	31A（Tc）	10V	99 毫欧 @ 10.5A，10V	4V @ 530µA	45 nC @ 10 V	±20V	1952 pF @ 400 V	-	117W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3	TO-247-3