IPP60R099CPXKSA1 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥7.11931
规格书

类似


IXYS
现货: 5,121
单价: ¥80.55000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 135
单价: ¥55.82000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 66
单价: ¥94.53000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 621
单价: ¥96.92000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,653
单价: ¥50.78000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 70
单价: ¥93.12000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 5
单价: ¥82.95000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 339
单价: ¥86.17000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: ¥54.50000
规格书
通孔 N 通道 650 V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP60R099CPXKSA1

DigiKey 零件编号
IPP60R099CPXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP60R099CPXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP60R099CPXKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.2mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2800 pF @ 100 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
255W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 18A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRF610LPBFVishay Siliconix0IRF610LPBF-ND¥7.11931类似
IXFP34N65X2IXYS5,121238-IXFP34N65X2-ND¥80.55000类似
STP34N65M5STMicroelectronics135497-13111-5-ND¥55.82000类似
STP34NM60NSTMicroelectronics66497-10884-5-ND¥94.53000类似
STP34NM60NDSTMicroelectronics621497-11335-5-ND¥96.92000类似
现货: 0
申请库存通知
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥76.00000¥76.00
50¥40.93980¥2,046.99
100¥37.55740¥3,755.74
500¥31.63440¥15,817.20
1,000¥29.73386¥29,733.86
2,000¥28.13709¥56,274.18
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。