3-SMD,无引线 单 FET,MOSFET

结果 : 28
制造商
Infineon Technologies Canada Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageTT Electronics/Optek Technology
系列
-FemtoFET™U-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V100 V150 V200 V250 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)150mA(Ta)200mA(Ta)2A(Ta)2.2A(Ta)4.3A(Ta)5.4A(Ta)5.9A(Ta)7.5A(Tc)12.4A(Tc)15A(Tc)19A(Tc)22A(Tc)26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V4.5V,10V6V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 900mA,4.5V27 毫欧 @ 900mA,10V35 毫欧 @ 1A,4.5V38 毫欧 @ 19A,12V65 毫欧 @ 1A,10V70 毫欧 @ 34A,12V88 毫欧 @ 12A,12V103 毫欧 @ 1.5A,4.5V110 毫欧 @ 26A,12V130mOhm @ 4.5A, 6V210 毫欧 @ 7.5A, 12V210 毫欧 @ 7.8A,12V215 毫欧 @ 1A,8V2 欧姆 @ 150mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.3V @ 3.5mA1.3V @ 7mA1.7V @ 250µA2.2V @ 250µA3V @ 1mA4V @ 1mA4.48V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 4.2 V1.6 nC @ 6 V3 nC @ 6 V4.2 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 10 V6.2 nC @ 6 V14 nC @ 10 V34 nC @ 12 V50 nC @ 12 V160 nC @ 12 V170 nC @ 12 V
Vgs(最大值)
-6V+7V, -10V8V±8V±10V±12V20V±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12 pF @ 10 V15 pF @ 10 V60 pF @ 25 V60 pF @ 400 V130 pF @ 10 V130 pF @ 400 V290 pF @ 10 V295 pF @ 50 V380 pF @ 15 V628 pF @ 6 V674 pF @ 6 V777 pF @ 30 V1980 pF @ 25 V2140 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)300mW(Ta)500mW(Ta)1W(Ta)75W(Tc)150W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-军用
资质
-MIL-PRF-19500/603MIL-STD-750
供应商器件封装
3-PICOSTAR3-SMD-CST3BU1(SMD-1)U3(SMD-0.5)VML0806
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VML0806
RV1C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Rohm Semiconductor
758,000
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
150mA(Ta)
1.2V,4.5V
2 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
12 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VML0806
3-SMD,无引线
VML0806
RV1C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Rohm Semiconductor
49,860
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.49293
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VML0806
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
9,220
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86368
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 1A,10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD17585F5
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
51,922
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98838
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 900mA,10V
1.7V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
20V
380 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5T
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
30,429
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
250 : ¥4.77720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 1A,10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD17585F5T
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
18,735
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
250 : ¥3.40688
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 900mA,10V
1.7V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
20V
380 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Texas Instruments
2,230
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
250 : ¥5.01852
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.5V,4.5V
35 毫欧 @ 1A,4.5V
950mV @ 250µA
4.2 nC @ 4.5 V
-6V
628 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD13385F5
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
47,181
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.2V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
8V
674 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD13385F5T
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
22,565
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
250 : ¥3.40688
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.2V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
8V
674 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
HCT7000M(TX,TXV)
HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
TT Electronics/Optek Technology
0
现货
查看交期
160 : ¥220.52000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±40V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-SMD
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.74941
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2A(Ta)
1.8V,8V
215 毫欧 @ 1A,8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3B
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
1 : ¥38.93000
剪切带(CT)
250 : ¥24.95720
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
45A(Tc)
6V
-
1.3V @ 7mA
6.2 nC @ 6 V
+7V, -10V
295 pF @ 50 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
1 : ¥92.23000
剪切带(CT)
250 : ¥68.07860
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.5A(Tc)
6V
-
-
1.6 nC @ 6 V
+7V, -10V
60 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
1 : ¥120.62000
剪切带(CT)
250 : ¥89.02404
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
15A(Tc)
6V
130mOhm @ 4.5A, 6V
1.3V @ 3.5mA
3 nC @ 6 V
+7V, -10V
130 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
1 : ¥4,455.45000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
12.4A(Tc)
12V
210 毫欧 @ 7.8A,12V
4V @ 1mA
50 nC @ 12 V
±20V
1980 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U3(SMD-0.5)
3-SMD,无引线
29
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Ta)
1.5V,4.5V
103 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 1mA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
-
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3B
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥18.93805
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
45A(Tc)
6V
-
1.3V @ 7mA
6.2 nC @ 6 V
+7V, -10V
295 pF @ 50 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥54.35862
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.5A(Tc)
6V
-
-
1.6 nC @ 6 V
+7V, -10V
60 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥71.08272
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
15A(Tc)
6V
130mOhm @ 4.5A, 6V
1.3V @ 3.5mA
3 nC @ 6 V
+7V, -10V
130 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
100 : ¥300.43910
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±40V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-SMD
3-SMD,无引线
U1 (SMD-1)
JANSR2N7268U
MOSFET N-CH 100V 34A U1
Microsemi Corporation
0
现货
50 : ¥3,568.87420
托盘
-
托盘
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
34A(Tc)
12V
70 毫欧 @ 34A,12V
4V @ 1mA
160 nC @ 12 V
±20V
-
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C
军用
MIL-PRF-19500/603
表面贴装型
U1(SMD-1)
3-SMD,无引线
U1 (SMD-1)
JANSR2N7269U
MOSFET N-CH 200V 26A U1
Microsemi Corporation
0
现货
50 : ¥3,641.66640
托盘
-
托盘
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
12V
110 毫欧 @ 26A,12V
4V @ 1mA
170 nC @ 12 V
±20V
-
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C
军用
MIL-PRF-19500/603
表面贴装型
U1(SMD-1)
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
100 : ¥3,995.65360
托盘
-
托盘
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
12.4A(Tc)
12V
210 毫欧 @ 7.8A,12V
4V @ 1mA
50 nC @ 12 V
±20V
-
-
75W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U3(SMD-0.5)
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
100 : ¥4,137.20540
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
22A(Tc)
12V
38 毫欧 @ 19A,12V
4.48V @ 1mA
34 nC @ 12 V
±20V
2165 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U3(SMD-0.5)
3-SMD,无引线
0
现货
查看交期
100 : ¥4,137.20540
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
19A(Tc)
12V
88 毫欧 @ 12A,12V
4V @ 1mA
50 nC @ 12 V
±20V
2140 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U3(SMD-0.5)
3-SMD,无引线
显示
/ 28

3-SMD,无引线 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。