Name: SSM3K59CTB,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K59CTB,L3FTR-ND
Price: 3.2 CNY
Availability: OutOfStock

SSM3K59CTB,L3F
DigiKey 零件编号	264-SSM3K59CTB,L3FTR-ND - 卷带（TR） 264-SSM3K59CTB,L3FCT-ND - 剪切带（CT） 264-SSM3K59CTB,L3FDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM3K59CTB,L3F
描述	MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 2A（Ta） 1W（Ta） CST3B
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM3K59CTB,L3F 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVII-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	215 毫欧 @ 1A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.1 nC @ 4.2 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	130 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	CST3B
封装/外壳	3-SMD，无引线
基本产品编号	SSM3K59