3.9A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 22
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CFD2QFET®SuperFET™TrenchFET®UniFET-II™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V400 V500 V600 V650 V700 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.5V,4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
58 毫欧 @ 3.1A,10V65 毫欧 @ 3.2A,4.5V120 毫欧 @ 2.8A,4.5V950 毫欧 @ 1.5A,10V1.2 欧姆 @ 2A,10V1.25 欧姆 @ 2.5A,10V1.4 欧姆 @ 2.3A,10V1.45 欧姆 @ 1A,10V2 欧姆 @ 1.95A,10V3.6 欧姆 @ 1.95A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA3.9V @ 240µA4V @ 250µA4.5V @ 200µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13.9 nC @ 10 V14.1 nC @ 10 V16.6 nC @ 10 V23 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
273 pF @ 100 V351 pF @ 50 V380 pF @ 100 V425 pF @ 10 V485 pF @ 25 V540 pF @ 25 V570 pF @ 100 V587 pF @ 10 V880 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Tc)2.8W(Tc)3W(Tc)3.13W(Ta),130W(Tc)28W(Tc)30W(Tc)31W(Tc)36.7W(Tc)50W(Tc)52W(Tc)63W(Tc)130W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FPPG-TO251-3PG-TO252-3PG-TO252-3-11SC-70-6SOT-23SOT-23-3(TO-236)TO-220-3TO-220F-3TO-236(SOT-23)TO-252-3TO-252(DPAK)TO-252AATO-262(I2PAK)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
22结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 22
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Vishay Siliconix
44,151
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99916
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Tc)
2.5V,10V
58 毫欧 @ 3.1A,10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2302CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
1,091
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23277
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Tc)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
587 pF @ 10 V
-
1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Vishay Siliconix
6,460
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Tc)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.5V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
425 pF @ 10 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236(SOT-23)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-263
FQB4N80TM
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
onsemi
609
现货
1 : ¥17.98000
剪切带(CT)
800 : ¥10.07739
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.95A,10V
5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),130W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-23-3
SQ2301ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
7,715
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Tc)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.5V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
425 pF @ 10 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252AA
FCD4N60TM
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
onsemi
7,750
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.39663
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.9A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Infineon Technologies
2,500
现货
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.20217
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2.3A,10V
3.9V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPA80R1K4CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Infineon Technologies
484
现货
1 : ¥13.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2.3A,10V
3.9V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
31W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO252-3
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Infineon Technologies
2,500
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.42188
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.9A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 1.5A,10V
4.5V @ 200µA
14.1 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 100 V
-
36.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO251-3
IPU80R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2.3A,10V
3.9V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220F
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.9A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.95A,10V
5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220-3
FCP4N60
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
onsemi
268
现货
1 : ¥18.14000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.9A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-252, (D-Pak)
AOD5T40P
MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
85
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.9A(Tc)
10V
1.45 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
273 pF @ 100 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
FQP4N80
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3
onsemi
0
现货
1,000 : ¥7.52313
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.95A,10V
5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-252-2
DMJ7N70SK3-13
MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
Diodes Incorporated
47
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.09301
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
3.9A(Tc)
10V
1.25 欧姆 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
13.9 nC @ 10 V
±30V
351 pF @ 50 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD65R950CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.9A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 1.5A,10V
4.5V @ 200µA
14.1 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 100 V
-
36.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FCD4N60TM_WS
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.9A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FCD4N60TF
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.9A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-262-3 Long Leads
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.95A,10V
5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),130W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262(I2PAK)
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO252-3
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2.3A,10V
3.9V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.9A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 1.5A,10V
4.5V @ 200µA
14.1 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 100 V
-
36.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO251-3
IPU80R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3.9A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2.3A,10V
3.9V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 22

3.9A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。