FCD4N60TM_WS 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 7,750
单价: ¥9.03000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥11.66000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 12,833
单价: ¥8.46000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 4,293
单价: ¥31.28000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 675
单价: ¥12.40000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 2,008
单价: ¥10.75000

FCD4N60TM_WS

DigiKey 零件编号
FCD4N60TM_WSTR-ND - 卷带(TR)
FCD4N60TM_WSCT-ND - 剪切带(CT)
FCD4N60TM_WSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
FCD4N60TM_WS
描述
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 3.9A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
540 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥10.18000¥10.18
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。