FCD4N60TM_WS onsemi | 分立半导体产品

FCD4N60TM_WS
DigiKey 零件编号	FCD4N60TM_WSTR-ND - 卷带（TR） FCD4N60TM_WSCT-ND - 剪切带（CT） FCD4N60TM_WSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FCD4N60TM_WS
描述	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 3.9A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	SuperFET™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	16.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	540 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	50W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	FCD4

FCD4N60TM_WS