FQI4N80TU 已经过时且不再制造。
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类似

IRFBE30LPBF
Vishay Siliconix
现货: 989
单价: ¥22.50000
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FQI4N80TU

DigiKey 零件编号
FQI4N80TU-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
FQI4N80TU
描述
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 800 V 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） TO-262（I2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FQI4N80TU 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262（I2PAK）
封装/外壳
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
基本产品编号
FQI4N80