单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
EPCInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-eGaN®OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）1.5A（Tc）90A（Ta）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 50A，5V2.5 毫欧 @ 100A，10V540 毫欧 @ 900mA，5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 28mA3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V6.1 nC @ 5 V33 nC @ 5 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V250 pF @ 25 V4523 pF @ 20 V14600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
275mW（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）300W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-7-3SOT-223SOT-323模具
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-261-4，TO-261AATO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
7,311
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
90A（Ta）
5V
1.1 毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 28mA
33 nC @ 5 V
+6V，-4V
4523 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,169
现货
1 : ¥49.83000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.27424
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
200 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
SOT-323
2N7002BKW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
20,037
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
275mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT223-3L
SIHLL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
2,168
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.71228
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Tc）
4V，5V
540 毫欧 @ 900mA，5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。