单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
EPCGoford SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSIC™ M1eGaN®FRFET®, SuperFET® IIHiPerFET™, Ultra X3MDmesh™ DM2OptiMOS™OptiMOS™ 3OptiMOS™FDOptimWatt™SuperFET® III, FRFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V150 V200 V220 V300 V500 V650 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)6A(Tc)8A(Tc)10.8A(Ta),108A(Tc)14A(Tc)35A(Tc)38A(Tc)39A(Tc)44A(Tc)45A(Tc)72A(Tc)88A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V7.5V,10V8V,10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.1 毫欧 @ 32A,5V3.3 毫欧 @ 100A,10V4.8 毫欧 @ 25A,10V7.2 毫欧 @ 100A,10V10.7 毫欧 @ 88A,10V11.1 毫欧 @ 96A,10V11.4 毫欧 @ 16A,10V12.8 毫欧 @ 45A,10V15.6 毫欧 @ 50A,10V57 毫欧 @ 17A,10V64 毫欧 @ 20.1A,18V72 毫欧 @ 24A,10V84 毫欧 @ 17.5A,10V85 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 8mA3V @ 250µA3.5V @ 180µA3.5V @ 360µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 267µA4V @ 270µA4.5V @ 1.5mA4.5V @ 1mA5V @ 250µA5V @ 3.5mA5.7V @ 1.1mA5.7V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 18 V14 nC @ 10 V24 nC @ 5 V33 nC @ 18 V35 nC @ 10 V57 nC @ 10 V63 nC @ 10 V73 nC @ 10 V73.1 nC @ 10 V78 nC @ 10 V81 nC @ 10 V82 nC @ 10 V87 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±20V+23V,-5V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
201 pF @ 400 V330 pF @ 400 V650 pF @ 20 V1053 pF @ 400 V1118 pF @ 400 V1300 pF @ 25 V2600 pF @ 100 V3195 pF @ 100 V3340 pF @ 25 V3750 pF @ 25 V3930 pF @ 100 V4895 pF @ 100 V5420 pF @ 25 V5470 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
2W(Tc)3.1W(Ta),125W(Tc)3.8W(Ta),375W(Tc)65W(Tc)104W(Tc)183W(Tc)238W(Tc)250W(Tc)300W(Tc)312W(Tc)313W(Tc)357W(Tc)375W(Tc)390W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN(3x5)D2PAKLFPAK56,Power-SO8PG-HSOG-8-1PG-TO220-3PG-TO252-3PG-TO263-3PG-TO263-3-2PG-TO263-7-12PG-TO263-7-3SOT-23-3TO-263(D2PAK)TO-263AA(IXFA)
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerSMD,鸥翼SC-100,SOT-669TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK SOT404
PSMN057-200B,118
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Nexperia USA Inc.
4,984
现货
1 : ¥22.82000
剪切带(CT)
800 : ¥12.77600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
39A(Tc)
10V
57 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 1mA
96 nC @ 10 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
onsemi
2,360
现货
1 : ¥25.94000
剪切带(CT)
800 : ¥15.68713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
38A(Tc)
10V
120 毫欧 @ 19A,10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3340 pF @ 25 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
9,498
现货
1 : ¥34.73000
剪切带(CT)
800 : ¥20.97388
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tj)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Infineon Technologies
4,025
现货
1 : ¥51.07000
剪切带(CT)
1,000 : ¥26.39836
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
100A(Tc)
8V,10V
7.2 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
5470 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2Pak
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
STMicroelectronics
2,562
现货
1 : ¥52.54000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.79889
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
35A(Tc)
10V
84 毫欧 @ 17.5A,10V
5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
5,507
现货
1 : ¥64.53000
剪切带(CT)
1,000 : ¥36.61949
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
25,164
现货
1 : ¥69.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.71270
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
102A(Ta)
5V
3.1 毫欧 @ 32A,5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V,-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R8-60EX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,319
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.39129
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
73.1 nC @ 10 V
±20V
5520 pF @ 25 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Infineon Technologies
6,036
现货
1 : ¥20.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.04213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
14A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 7.2A,10V
3.5V @ 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP110N20NAAKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Infineon Technologies
2,323
现货
1 : ¥54.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Infineon Technologies
1,036
现货
1 : ¥62.15000
剪切带(CT)
1,000 : ¥35.25041
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
220 V
72A(Tc)
10V
15.6 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
6930 pF @ 110 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
NVB072N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
onsemi
2,033
现货
1 : ¥65.10000
剪切带(CT)
800 : ¥41.04404
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
44A(Tc)
10V
72 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 1mA
82 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 400 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R048M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
889
现货
1 : ¥89.65000
剪切带(CT)
1,000 : ¥50.85624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
45A(Tc)
18V
64 毫欧 @ 20.1A,18V
5.7V @ 6mA
33 nC @ 18 V
+23V,-5V
1118 pF @ 400 V
-
183W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263AB
IRF840STRLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
1,379
现货
1 : ¥22.50000
剪切带(CT)
800 : ¥12.58718
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R260M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
943
现货
1 : ¥37.35000
剪切带(CT)
1,000 : ¥19.27342
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
6A(Tc)
18V
346 毫欧 @ 3.6A,18V
5.7V @ 1.1mA
6 nC @ 18 V
+23V,-5V
201 pF @ 400 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263
FCB110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
onsemi
1,300
现货
1 : ¥49.67000
剪切带(CT)
800 : ¥31.29769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
35A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 17.5A,10V
5V @ 3.5mA
145 nC @ 10 V
±20V
4895 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,806
现货
1 : ¥65.68000
剪切带(CT)
1,800 : ¥37.24857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
10.8A(Ta),108A(Tc)
10V
11.1 毫欧 @ 96A,10V
4V @ 267µA
81 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 100 V
-
3.8W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD,鸥翼
G6N02L
5P40
P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Goford Semiconductor
9,704
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81634
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5A(Tc)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,155
现货
1 : ¥43.51000
剪切带(CT)
1,000 : ¥22.50302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 180µA
140 nC @ 10 V
±20V
10120 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263
SUM90100E-GE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥31.69000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
150A(Tc)
7.5V,10V
11.4 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3930 pF @ 100 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXFA90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Littelfuse Inc.
16
现货
1 : ¥80.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
90A(Tc)
10V
12.8 毫欧 @ 45A,10V
4.5V @ 1.5mA
78 nC @ 10 V
±20V
5420 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA(IXFA)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。