单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A（Tc）12A（Ta）30A（Ta），100A（Tc）160A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 毫欧 @ 50A，10V2 毫欧 @ 100A，10V2.6 毫欧 @ 140A，10V9.4 毫欧 @ 12A，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.8V @ 120µA3.7V @ 250µA4V @ 250µA4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V39 nC @ 10 V89 nC @ 10 V200 nC @ 10 V411 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
590 pF @ 15 V1560 pF @ 25 V6500 pF @ 30 V7820 pF @ 25 V13703 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Ta）2.5W（Ta），156W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOD2PAK（7-Lead）PG-TDSON-8-17PG-TO263-2SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
15,648
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65114
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.9A（Tc）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Infineon Technologies
14,635
现货
1 : ¥14.37000
剪切带（CT）
4,000 : ¥6.46811
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
10V
9.4 毫欧 @ 12A，10V
4.9V @ 100µA
39 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PG-TDSON-8-17
BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Infineon Technologies
8,686
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.10796
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.45 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 120µA
89 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-17
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Infineon Technologies
8,519
现货
1 : ¥26.93000
剪切带（CT）
800 : ¥16.26418
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.7V @ 250µA
411 nC @ 10 V
±20V
13703 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT427
IRF3805STRL-7PP
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Infineon Technologies
905
现货
1 : ¥32.68000
剪切带（CT）
800 : ¥19.70709
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
160A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 140A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。