24A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 25
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.EPCInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageWeEn Semiconductors
系列
-DTMOSVIeGaN®HEXFET®U-MOSIVU-MOSV-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V170 V650 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 24A,10V3.3 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 12A,10V9 毫欧 @ 10A,5V9 毫欧 @ 12A,10V11 毫欧 @ 12A,10V37 毫欧 @ 24A,10V42 毫欧 @ 10A,10V45 毫欧 @ 10A,5V45 毫欧 @ 12A,10V110 毫欧 @ 12A,10V125 毫欧 @ 12A,10V196 毫欧 @ 10A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2V @ 500µA2.3V @ 250µA2.35V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 3mA3V @ 200µA3V @ 250µA4V @ 1.02mA4V @ 250µA4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.4 nC @ 5 V14.1 nC @ 10 V21 nC @ 10 V26 nC @ 10 V32 nC @ 5 V35 nC @ 20 V40 nC @ 10 V48 nC @ 10 V56 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V87 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±15V+20V,-25V±20V+25V,-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
736 pF @ 1000 V836 pF @ 85 V850 pF @ 20 V1140 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1270 pF @ 10 V2150 pF @ 10 V2250 pF @ 300 V2400 pF @ 10 V4245 pF @ 20 V5720 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.36W(Ta),62.5W(Tj)1.6W(Ta),30W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),50W(Tc)3.1W(Ta)45W(Tc)55W(Tc)155W(Ta)190W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP(8x8)8-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)DPAKIPAKTO-220TO-220SISTO-247TO-247-3TO-247-4L(T)TO-252(DPAK)TOLL
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
25结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 25
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-3P-3,TO-247-3
NTD24N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
690
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.73436
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
5V
45 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1140 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
28,285
现货
1 : ¥27.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.26299
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
170 V
24A(Ta)
5V
9 毫欧 @ 10A,5V
2.5V @ 3mA
7.4 nC @ 5 V
+6V,-4V
836 pF @ 85 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Infineon Technologies
7,173
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.48411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 24A,10V
2.35V @ 100µA
66 nC @ 4.5 V
±20V
5720 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
3,960
现货
1 : ¥34.71000
剪切带(CT)
2,000 : ¥16.89580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Ta)
10V
110 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1.02mA
40 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 300 V
-
190W(Tc)
150°C
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
IPAK
NTD24N06-1G
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
10V
42 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
DPAK_369C
NTD24N06T4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
10V
42 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK
NTD24N06L-001
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
5V
45 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1140 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
42
现货
1 : ¥32.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Ta)
10V
110 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1.02mA
40 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 300 V
-
45W(Tc)
150°C
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
56
现货
1 : ¥33.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Ta)
10V
110 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1.02mA
40 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 300 V
-
190W(Tc)
150°C
通孔
TO-220
TO-220-3
TK110Z65Z,S1F
TK110Z65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Toshiba Semiconductor and Storage
32
现货
1 : ¥48.54000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Ta)
10V
110 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1.02mA
40 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 300 V
-
190W(Tc)
150°C
通孔
TO-247-4L(T)
TO-247-4
0
现货
查看交期
1 : ¥37.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥18.26573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Ta)
10V
125 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1.02mA
40 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 300 V
-
190W(Tc)
150°C
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
TK110N65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
Toshiba Semiconductor and Storage
25
现货
1 : ¥45.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Ta)
10V
110 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1.02mA
40 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 300 V
-
190W(Tc)
150°C
通孔
TO-247
TO-247-3
0
现货
查看交期
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.07620
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4245 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-247-3-Top
WNSCM160120WQ
WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
WeEn Semiconductors
0
现货
查看交期
3,000 : ¥40.90581
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
24A(Ta)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4.5V @ 3mA
35 nC @ 20 V
+25V,-10V
736 pF @ 1000 V
-
155W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
IPAK
NTD24N06-001
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
10V
42 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK
NTD24N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
5V
45 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1140 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
DPAK_369C
NTD24N06G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
10V
42 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD24N06L
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
5V
45 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1140 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD24N06LG
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
5V
45 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1140 pF @ 25 V
-
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
14.1 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD5414NT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta)
10V
37 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 1mA
21 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta),30W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
IRF8788PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 24A,10V
2.35V @ 100µA
66 nC @ 4.5 V
±20V
5720 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta)
-
7 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 200µA
26 nC @ 10 V
-
1270 pF @ 10 V
-
-
150°C(TJ)
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 12A,10V
2V @ 500µA
56 nC @ 10 V
+20V,-25V
2400 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta),30W(Tc)
150°C
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
显示
/ 25

24A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。