2.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 53
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesMicrosemi CorporationonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2EPowerTrench®QFET®SuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V650 V800 V900 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 3.8A,4.5V75 毫欧 @ 3A,10V100 毫欧 @ 2.8A,4.5V110 毫欧 @ 1.4A,10V115 毫欧 @ 2.4A,4.5V115 毫欧 @ 2.6A,4.5V128 毫欧 @ 2.8A,10V130 毫欧 @ 2.8A,4.5V140 毫欧 @ 1.4A,10V170 毫欧 @ 2.4A,10V177 毫欧 @ 2.4A,10V295 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.9V @ 240µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.5 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 5 V5.2 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V6.4 nC @ 5 V6.5 nC @ 10 V6.6 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V8 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
170 pF @ 25 V200 pF @ 25 V220 pF @ 25 V250 pF @ 10 V250 pF @ 25 V262 pF @ 100 V310 pF @ 25 V315 pF @ 100 V331 pF @ 25 V335 pF @ 25 V350 pF @ 25 V354 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)800mW(Tc)890mW(Tc)900mW(Ta)1.25W(Ta),2.1W(Tc)2W(Tc)2.1W(Tc)2.2W(Ta)2.5W(Ta),20W(Tc)2.5W(Ta),49W(Tc)3.1W(Ta),5.9W(Tc)3.13W(Ta),45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
军用汽车级
资质
AEC-Q101MIL-PRF-19500/555
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SOIC18-ULCC(9.14x7.49)DPAKIPAKPG-TO220-FPPG-TO252-3PowerPAK® 1212-8SC-70-6SOT-223-3SOT-223-4SOT-23
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)18-CLCCPowerPAK® 1212-8SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-3TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
53结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 53
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2301ACX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
194,045
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43335
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Tc)
2.5V,4.5V
130 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±12V
480 pF @ 15 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2361ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
93,427
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.8A(Tc)
4.5V,10V
177 毫欧 @ 2.4A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Vishay Siliconix
57,430
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.8A(Tc)
10V
177 毫欧 @ 2.4A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
-
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Vishay Siliconix
74,208
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.8A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 2.4A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 30 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
-
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2361AEES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,282
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.8A(Tc)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 2.4A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 30 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252AA
FQD5N60CTM
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
onsemi
183
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.10612
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.8A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±30V
670 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),49W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
11,195
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.04406
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
331 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223-4
FDT86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
onsemi
5,370
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.86568
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.8A(Tc)
6V,10V
128 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
395 pF @ 75 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
PowerPAK 1212-8
SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
22,099
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.81975
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.8A(Tc)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
9.8 nC @ 10 V
±30V
365 pF @ 75 V
-
3.2W(Ta),19.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
SI4455DY-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Vishay Siliconix
6,038
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.38851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.8A(Tc)
10V
295 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta),5.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-251
AOU3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,259
现货
1 : ¥5.42000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
331 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252, (D-Pak)
AOD3N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,490
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.87800
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.8A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
R6002JND4TL1
R6006KND4TL1
600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Rohm Semiconductor
3,995
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.55206
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.8A(Tc)
10V
870 毫欧 @ 2A,10V
5.5V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
12.3W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
2302
2301H
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Goford Semiconductor
2,816
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.8A(Tc)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2.4V @ 250µA
12 nC @ 2.5 V
±20V
405 pF @ 10 V
-
890mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Vishay Siliconix
1
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.8A(Tc)
10V
2.75 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
19.6 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3 Full Pack
SIHA2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Vishay Siliconix
15
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.00136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.8A(Tc)
10V
2.75 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
19.6 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 100 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
Pkg 5540
SI3451DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥2.24490
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Tc)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.1 nC @ 5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-263
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
onsemi
0
现货
1,600 : ¥2.94511
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.8A(Tc)
10V
2.2 欧姆 @ 1.4A,10V
5V @ 250µA
5.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252AA
FQD5N60CTF
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥3.40668
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.8A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±30V
670 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),49W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SI3451DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93428
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Tc)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.1 nC @ 5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2301BCX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
12,000 : ¥0.68757
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Tc)
1.8V,4.5V
100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±8V
415 pF @ 6 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2301CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
6,000 : ¥0.77629
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.8A(Tc)
2.5V,4.5V
130 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±8V
447 pF @ 6 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO252-3
IPD65R1K4CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
2,500 : ¥3.83107
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
2.8A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
4.5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
±20V
262 pF @ 100 V
-
28.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC-70-6
SQ1470EH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.8A(Tc)
-
65 毫欧 @ 3.8A,4.5V
1.6V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
-
610 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO-251AA
SIHU2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.14961
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.8A(Tc)
10V
2.75 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
19.6 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 53

2.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。