Name: SIHA2N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHA2N80E-GE3TR-ND
Price: 13.05 CNY
Availability: InStock

SIHA2N80E-GE3
DigiKey 零件编号	SIHA2N80E-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIHA2N80E-GE3CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIHA2N80E-GE3
描述	MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
原厂标准交货期	28 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 800 V 2.8A（Tc） 29W（Tc） TO-220 整包
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	E
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.75 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	315 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	29W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220 整包
封装/外壳	TO-220-3 整包
基本产品编号	SIHA2

SIHA2N80E-GE3