FQB3N25TM 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似

IRF540NSTRLPBF
Infineon Technologies
现货: 12,515
单价: ¥12.31000
规格书
查看所有替代品并进行比较

FQB3N25TM

DigiKey 零件编号
FQB3N25TM-ND - 卷带（TR）
制造商
onsemi
制造商产品编号
FQB3N25TM
描述
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 250 V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），45W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FQB3N25TM 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
FQB3
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带（TR）
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1,600¥2.94511¥4,712.18
2,400¥2.62299¥6,295.18
5,600¥2.48494¥13,915.66
20,000¥2.30088¥46,017.60