16A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 75
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™eGaN®HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVI-HU-MOSVII-Hπ-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V25 V30 V40 V45 V60 V80 V100 V550 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.8V,10V4V,10V4.5V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V4.2 毫欧 @ 10A,10V4.5 毫欧 @ 16A,10V5 毫欧 @ 15A,5V5 毫欧 @ 16A,10V5.4 毫欧 @ 16A,10V5.5 毫欧 @ 16A,10V5.6 毫欧 @ 8A,10V5.7 毫欧 @ 2A,4.5V6 毫欧 @ 16A,10V6 毫欧 @ 16A,4.5V6.2 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 500µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.3V @ 1mA2.3V @ 200µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 5 V7.6 nC @ 5 V9.5 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V16 nC @ 5 V17 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V25.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
-6V+6V,-4V±8V±12V±16V+20V,-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
665 pF @ 10 V685 pF @ 50 V805 pF @ 20 V952 pF @ 4 V1040 pF @ 10 V1050 pF @ 25 V1436 pF @ 12 V1450 pF @ 25 V1570 pF @ 25 V1600 pF @ 10 V1714 pF @ 25 V1740 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.4W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta),25W(Tc)2W(Ta)2.1W(Ta)2.5W2.5W(Ta)2.5W(Ta),18W(Tc)2.7W(Ta),33W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-HSMT(3.2x3)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO FLMP8-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-SOP8-SOP(5.5x6.0)8-WDFN(3.3x3.3)CPT3DFN2020-6J
封装/外壳
3-SMD,扁平引线6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)9-SMD,无引线PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
75结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 75
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
7,338
现货
1 : ¥11.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.86548
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V4 毫欧 @ 20A,10V2V @ 250µA73 nC @ 10 V±20V5700 pF @ 15 V-1.56W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-DSO-88-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RS3G160ATTB1
PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
6,808
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥19.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.75850
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Ta)4.5V,10V6.2 毫欧 @ 16A,10V2.5V @ 1mA120 nC @ 10 V±20V6250 pF @ 20 V-1.4W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
47,642
现货
1 : ¥30.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.82932
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道GaNFET(氮化镓)100 V16A(Ta)5V7 毫欧 @ 16A,5V2.5V @ 5mA6.5 nC @ 5 V+6V,-4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型模具模具
IRF9317TRPBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Infineon Technologies
21,938
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.38712
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V6.6 毫欧 @ 16A,10V2.4V @ 50µA92 nC @ 10 V±20V2820 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7410TRPBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Infineon Technologies
9,812
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.78950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V16A(Ta)1.8V,4.5V7 毫欧 @ 16A,4.5V900mV @ 250µA91 nC @ 4.5 V±8V8676 pF @ 10 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
RB098BM-40FNSTL
RD3H160SPTL1
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Rohm Semiconductor
5,477
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.54806
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)45 V16A(Ta)4V,10V50 毫欧 @ 16A,10V3V @ 1mA16 nC @ 5 V±20V2000 pF @ 10 V-20W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型TO-252TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Rohm Semiconductor
6,177
现货
1 : ¥13.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.44719
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)45 V16A(Ta)4V,10V50 毫欧 @ 16A,10V3V @ 1mA16 nC @ 5 V±20V2000 pF @ 10 V-20W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5,000
现货
2,500 : ¥5.09972
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V7 毫欧 @ 8A,10V-12 nC @ 4.5 V±20V1740 pF @ 10 V-2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Rohm Semiconductor
17,974
现货
1 : ¥6.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.28167
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V4.5 毫欧 @ 16A,10V2.5V @ 1mA51 nC @ 10 V±20V2550 pF @ 15 V-2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSMT(3.2x3)8-PowerVDFN
5,000
现货
2,500 : ¥7.73194
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V5 毫欧 @ 16A,10V-195 nC @ 10 V±20V6250 pF @ 10 V-2.5W(Ta)150°C--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3E160ADTB1
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.11093
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V4.5 毫欧 @ 16A,10V2.5V @ 1mA51 nC @ 10 V±20V2550 pF @ 15 V-2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSMT(3.2x3)8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8W Single_Top
SQSA84CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
5,370
现货
1 : ¥4.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86629
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V16A(Ta)4.5V,10V32 毫欧 @ 3.5A,10V2.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1050 pF @ 25 V-27W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® 1212-8W
8 SOIC
DMN3007LSSQ-13
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Diodes Incorporated
2,374
现货
1 : ¥5.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.07340
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V7 毫欧 @ 15A,10V2.1V @ 250µA64.2 nC @ 10 V±20V2714 pF @ 15 V-2.5W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
DMN3010LSS-13
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Diodes Incorporated
2,370
现货
1 : ¥5.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.21148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V9 毫欧 @ 16A,10V2V @ 250µA43.7 nC @ 10 V±20V2096 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2,269
现货
1 : ¥9.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.94528
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V8.5 毫欧 @ 16A,10V2.3V @ 250µA70 nC @ 10 V±25V2830 pF @ 15 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5833NT3G
MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
onsemi
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Ta)10V7.5 毫欧 @ 40A,10V3.5V @ 250µA32.5 nC @ 10 V±20V1714 pF @ 25 V-3.7W(Ta),112W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
8-WDFN
NVTFS5811NLWFTAG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
onsemi
0
现货
2,946
市场
2,946 : ¥1.70251
卷带(TR)
-
卷带(TR)
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Ta)4.5V,10V6.7 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 250µA30 nC @ 10 V±20V1570 pF @ 25 V-3.2W(Ta),21W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-WDFN(3.3x3.3)8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5811NLTAG
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16A(Ta)4.5V,10V6.7 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 250µA30 nC @ 10 V±20V1570 pF @ 25 V-3.2W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-WDFN(3.3x3.3)8-PowerWDFN
664
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V5.5 毫欧 @ 16A,10V2.4V @ 250µA60 nC @ 10 V±20V2270 pF @ 15 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SISA16DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
6,000 : ¥1.50592
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)-6.8 毫欧 @ 15A,10V2.3V @ 250µA47 nC @ 10 V-2060 pF @ 15 V---55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
6,000 : ¥1.75144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V6.8 毫欧 @ 15A,10V2.3V @ 250µA47 nC @ 10 V+20V,-16V2060 pF @ 15 V---55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
8-SOP
PJL9416_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.85341
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V4.2 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA23 nC @ 4.5 V±20V2436 pF @ 15 V-2.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
DMP1008UCA9-7
MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.24774
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)8 V16A(Ta)2.5V,4.5V5.7 毫欧 @ 2A,4.5V1.1V @ 250µA9.5 nC @ 4.5 V-6V952 pF @ 4 V-1.2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型X2-DSN1515-99-SMD,无引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.18451
卷带(TR)
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V16A(Ta)4.5V,10V6.5 毫欧 @ 16A,10V2.6V @ 250µA66 nC @ 10 V±20V3420 pF @ 50 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS7779Z
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
onsemi
0
现货
2,500 : ¥5.67882
卷带(TR)
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V16A(Ta)4.5V,10V7.2 毫欧 @ 16A,10V3V @ 250µA98 nC @ 10 V±25V3800 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 75

16A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。