12A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 154
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaSGT™DTMOSIIeGaN®HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®SuperFET® IITrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIX-HU-MOSV-HU-MOSVIUMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
5.5 V12 V20 V25 V30 V33 V40 V60 V100 V150 V200 V250 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V3.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V4.5V,20V5V5V,20V6V,10V6V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 12A,4.5V6.4 毫欧 @ 16A,10V6.5 毫欧 @ 12A,10V6.5 毫欧 @ 21A,10V6.6 毫欧 @ 16.5A,10V6.8 毫欧 @ 15A,10V7 毫欧 @ 16A,10V7 毫欧 @ 19A,10V7 毫欧 @ 6A,10V7.5 毫欧 @ 19A,10V7.7 毫欧 @ 19A,4.5V8 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 45µA2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 3.5 V6 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 5 V8.1 nC @ 4.5 V9.4 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V12.2 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.7 nC @ 10 V14.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5.5V+6V,-4V+6V,-5V±6V±8V±10V±12V±15V20V±20V±25V30V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
440 pF @ 25 V450 pF @ 25 V500 pF @ 25 V540 pF @ 100 V542 pF @ 15 V550 pF @ 25 V570 pF @ 20 V590 pF @ 15 V600 pF @ 15 V700 pF @ 25 V720 pF @ 10 V750 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)890mW(Ta)910mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),15W(Tc)1.25W(Ta)1.28W(Ta),56.6W(Tc)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.5W(Ta),48W(Tj)1.56W(Ta)1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-PQFN(2x2)6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)6-WLCSP(1.47x1.47)8-DFN(5x6)8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)8-ECH8-HSMT(3.2x3)8-HSOP8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO
封装/外壳
4-PowerTSFN6-PowerWDFN6-PowerXDFN6-SMD,扁平引线6-SMD,无引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
154结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 154
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
19,981
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12677
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
6V,20V
11 毫欧 @ 12A,20V
3V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA908PZ
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
onsemi
31,940
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.63126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
12A(Ta)
1.8V,4.5V
12.5 毫欧 @ 12A,4.5V
1V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±8V
3957 pF @ 6 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
DPAK_369C
NTD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
529
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.48362
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)
5V
104 毫欧 @ 6A,5V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±15V
440 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),48W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
7,366
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.01670
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)
10V
180 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 25 V
-
55W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Infineon Technologies
14,679
现货
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
4,000 : ¥6.46769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)
10V
9.4 毫欧 @ 12A,10V
4.9V @ 100µA
39 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
73,217
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 12A,10V
2.3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
542 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
21,193
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta)
4.5V,10V
11.6 毫欧 @ 4A,10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
2,599
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
12A(Ta)
1.2V,4.5V
12 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
37.6 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
8-HSMT
RQ3E120GNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
13,560
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39419
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
2W(Ta),16W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
HSOP8
RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Rohm Semiconductor
16,983
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.55321
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta)
4.5V,10V
16.2 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 1mA
9.4 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 20 V
-
3W(Ta),25W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7121ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
9,275
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),27.8W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOP
PJL9415_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,739
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.95662
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
3168 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ESD2V8P8U-TP
MCQ4407B-TP
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Micro Commercial Co
18,158
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.79413
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,20V
10.5 毫欧 @ 12A,20V
2.8V @ 250µA
29.8 nC @ 10 V
±25V
2050 pF @ 15 V
-
3.2W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMN2009LSS-13
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Diodes Incorporated
1,421
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.23311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12A(Ta)
2.5V,10V
8 毫欧 @ 12A,10V
1.2V @ 250µA
58.3 nC @ 10 V
±12V
2555 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
20,677
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.30398
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8 SO
DMP3020LSS-13
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Diodes Incorporated
6,346
现货
255,000
工厂
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.35717
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
30.7 nC @ 10 V
±25V
1802 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Infineon Technologies
35,622
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.65490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
10V,20V
8.5 毫欧 @ 12A,20V
2.4V @ 25µA
52 nC @ 10 V
±25V
1680 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
9,831
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.14634
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 12A,10V
2.6V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DPAK_369C
NTD3055-094T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
1,554
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.91957
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)
10V
94 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),48W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4874BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Vishay Siliconix
7,149
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.55996
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±20V
3230 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK SO-8
SI7386DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,532
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.30693
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 19A,10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BSO201SPHXUMA1
MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Infineon Technologies
8,136
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.85898
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12A(Ta)
2.5V,4.5V
8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
1.2V @ 250µA
88 nC @ 4.5 V
±12V
9600 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Diodes Incorporated
22,550
现货
138,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27680
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11A,10V
2V @ 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
2.02W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Nexperia USA Inc.
3,640
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41256
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
12A(Ta)
-
9.6 毫欧 @ 12A,4.5V
900mV @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±8V
2200 pF @ 6 V
-
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB07R3ENX
PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Nexperia USA Inc.
3,181
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46392
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)
4.5V,10V
8.6 毫欧 @ 12A,10V
2.2V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
914 pF @ 15 V
-
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 154

12A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。